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freescale与TSMC联合开发SOI前段技术 (2004.10.14)
飞思卡尔半导体已和台积电(TSMC)签订合约，联合开发新一代的绝缘层上覆硅(SOI)高效能芯片前段技术，目标将锁定在开发65奈米互补金属氧化半导体(CMOS)的先进制程节点。这份为期三年的合约同时也赋予台积电(TSMC)制造权，可利用飞思卡尔的90奈米绝缘层上覆硅(SOI)技术制造产品


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