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纽约大学理工学院和法国CEA-Leti合作开发12寸晶圆磁性记忆体元件 (2024.06.25)
纽约州立大学理工学院(NYCREATES)和法国电子暨资讯技术实验室(CEA-Leti)，宣布建立战略研发夥伴关系，初期将聚焦於用於储存电脑数据的磁性记忆体元件的研发，并将在300mm晶圆上进行生产 |
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国研院携手台积电 成功开发磁性记忆体技术 (2024.02.20)
为满足快速读写、低耗电、断电後不会遗失资料的前瞻记忆体储存技术需求，全球各半导体大厂都积极投入研究人力，布局相关技术开发。国研院半导体中心今（20）日也宣布与台积电合作开发的「选择器元件与自旋转移力矩式磁性记忆体整合」（Selector and STT-MRAM Integration） |
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工研院与台积电合作开发SOT-MRAM 降百倍功耗抢高速运算商机 (2024.01.17)
面对现今人工智慧（AI）、5G构成的AIoT时代来临，包括自驾车、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用须快速处理大量资料，要求更快、更稳、功耗更低的新世代记忆体成为各家大厂研发重点 |
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国科会114年度科技预算增至1800亿元 拓展AI晶片与资安实力 (2024.01.17)
国家科学及技术委员会(国科会)於今(17)日召开第9次委员会议，并提报「114年度政府科技发展重点规划」，将重点投入晶创台湾方案、净零科技及太空科技等，并强化培育顶尖优秀科研人才 |
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工研院与阳明交大、清大发表新型磁性记忆体与110GHz超高频技术 (2023.06.15)
工研院分别携手国立阳明交通大学与国立清华大学，在全球半导体领域顶尖之「超大型积体技术及电路国际会议」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）、IEEE国际微波会议（IEEE／MTT-S International Microwave Symposium；IMS），发表新型磁性记忆体与110GHz超高频模型技术成果 |
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经济部发表最新研发成果 领先三星推出最快磁性记忆体 (2022.09.14)
经济部技术处SEMICON Taiwan科技专案成果主题馆於今（14）日在「2022 SEMICON Taiwan」台北南港展览馆一馆四楼N0662摊位正式登场！共展出33项创新技术！首先最吸睛的技术，是由工研院携手多家台湾大厂，完成世界最快的SOT-MRAM阵列晶片，达成0.4奈秒高速写入、7兆次读写的高耐受度，效能领先南韩大厂20% |
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联电携手Avalanche推出航太用高密度P-SRAM装置 (2022.09.13)
因应现今无所不在的感测装置以及日益升高的资料处理需求推升对耐磨损、高持久性记忆体的需要，半导体晶圆厂商联华电子与专精於MRAM技术的创新公司 Avalanche Technology於今（13）日推出具有高可靠度的持续性静态随机存取记忆体（Persistent Static Random Access Memory；P-SRAM） |
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工业储存技术再进化！ (2022.08.26)
近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智慧、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智慧城市到国防航太等领域都可以应用大量晶片记录海量数据 |
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前瞻磁性记忆体技术突破 工研院与产学界合作在VLSI发表研发成果 (2022.06.15)
随着人工智慧（AI）、5G与AIoT等科技加速发展，工研院累积深厚的前瞻记忆体研发能量，工研院在今（15）日宣布，除了与晶圆制造龙头台积电合作开发前瞻的自旋轨道扭矩磁性记忆体（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）阵列晶片 |
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为台湾嵌入式记忆体技术奠基 国研院发表SOT-MRAM研发平台 (2021.11.09)
国研院半导体中心，今日举行次世代嵌入式记忆体技术，「自旋轨道力矩式磁性记忆体（SOT-MRAM）」研究成果发表会。该记忆体采用垂直异向性的结构，不仅电耗更低、体积更小，同时读写的速度也更快，能够整合至高性能的逻辑IC之中，进一步实现下世代的处理器晶片 |
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2021 VLSI台湾供应链优势再现 实现记忆体内运算与AI创新 (2021.04.20)
2021国际超大型积体电路技术研讨会（VLSI）是台湾半导体产业的年度盛事，今（20）日在经济部技术处的支持下顺利登场，今年焦点落在目前市场最热门的AI晶片、新兴记忆体、小晶片（chiplet）系统、量子电脑、半导体材料、生物医学电子等最新技术进展 |
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研发存储级记忆体！ 旺宏与IBM续攻相变化记忆体技术 (2018.12.25)
旺宏电子（Macronix）董事会昨日决议通过，将与IBM签订合约，继续进行「相变化记忆体（PCM）」的合作开发。双方将共同分担研发费用，为期3年，合约计画期间为明年1月22日至2022年1月21日 |
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来扬科技携手主力分团 进军次世代记忆体市场 (2016.05.16)
传统记忆体的制程技术已达物理极限，国际大厂无不全力布局，一场次世代记忆体大战已隐然成型。为抢占未来全球记忆体市场，来扬科技整合本身电路设计能力后，以开放宏观的精神，进军次世代记忆体市场 |
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HGST与60East Technologies携手带动AMPS实现实时数据分析 (2015.01.27)
HGST FlashMAX PCIe固态硬盘能增加储存效能和容量，进而改善大数据分析速度，同时保留软硬件的既有投资。
HGST（昱科环球储存科技为Western Digital集团旗下子公司）宣布60East Technologies已认证 HGST FlashMAX II PCIe 固态硬盘（SSD）于 AMPS（进阶传讯处理系统） |
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宇瞻全面启动企业3.0升级计划 (2015.01.23)
宇瞻科技发布2015年企业营运展望，将启动企业3.0升级计划，期许带来突破性发展，再创佳绩。除专注数字储存本业发展，宇瞻科技未来将以扩大事业体系的经营模式，在2015年秉持3大发展策略全速冲刺- 产业策略结盟，携手深耕利基市场；聚焦开拓新兴市场，探索事业新蓝海；稳固人力扎根，建立完整企业人才供应链 |
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MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!（下） (2013.07.08)
MRAM是一种磁性多层膜的堆栈结构，在这当中最为关键的三层，上下两层为磁性层（一为参考层，一为自由层），中间则为绝缘层。早前的MRAM的磁性层的磁化方向是水平排列，并可由电流来控制旋转方向 |
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MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!（上） (2013.07.02)
在工研院即将进入欢庆40周年院庆之际，工研院电光所的研究团队所开发出来的「垂直式自旋磁性内存技术」荣获杰出研究金牌奖，此一技术乍看之下并不显眼，但该内存技术的背后，却也牵动了未来全球半导体大厂的势力布局 |
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工研院成立40周年 引领未来行动「微」新生活 (2013.06.28)
随着智能手机及iPAD热潮兴起，小、快、轻、省电不仅是未来行动装置趋势，各家厂商也积极朝向「组件微小化」进行突破。工研院在成立40周年前夕，发表工研院杰出研究奖与推广服务奖共三项金牌技术 |
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希捷科技推出单一盘片上储存1TB硬盘机 (2011.05.10)
希捷科技近日宣布，突破磁录密度的技术限制，领先全球推出第一台在单一盘片上提供1TB储存容量的3.5吋硬盘机，满足全球家庭和办公室用户对于数字内容储存需求的爆炸性成长 |
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相较于一般风扇，压电风扇的优势为何？ (2009.05.08)
相较于一般风扇，压电风扇的优势为何？ |
