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Littelfuse新增1700 V碳化矽萧特基阻障二极体提供更快和低损耗开关 (2021.08.17)
Littelfuse公司今（17）日宣布扩充其碳化矽（SiC）二极体产品组合，新增1700 V级产品适用于资料中心、建筑物自动化和其他高功率电子应用。 LSIC2SD170Bxx系列碳化矽萧特基二极体采用TO-247-2L封装，可选择额定电流10A、25A或50A |
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Microchip推出最新汽车用700和1200V碳化矽萧特基二极体 (2020.10.29)
汽车电气化浪潮正席卷全球，电动汽车搭载的马达、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化矽（SiC）等创新电源技术。Microchip今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD）功率元件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车品质标准的解决方案，同时支援丰富的电压、电流和封装选项 |
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Littelfuse GEN2 650V碳化矽萧特基二极体可提高热管理 (2019.02.27)
Littelfuse推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化矽（SiC）萧特基二极体系列。LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化矽萧特基二极体提供各种额定电流选择（6A、8A、10A、16A或20A） |
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Littelfuse SiC萧特基二极体降低能源成本和空间要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247萧特基二极体和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263萧特基二极体，扩充其碳化矽电源半导体产品组合。
相比矽二极体，GEN2碳化矽萧特基二极体可显着降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性 |
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高突波电流耐受量SiC萧特基二极体能大幅度改善运转时效 (2016.06.28)
SiC元件的材料物性好，已经逐渐为上述应用装置所采用。尤其是伺服器等须提升电源效率的装置，电源上使用SiC-SBD产品，就能充分发挥该产品的高速回复特性，运用在PFC电路后，可望进一步提升装置的效率 |
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ROHM新推出导通电阻仅34mΩ (2012.03.08)
罗姆电子(ROHM株式会社)于日前宣布全新推出创新低导通电阻之高耐压型功率MOSFET，「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ,34mΩ max45mΩ)，适合太阳能发电系统的功率调节器使用。
随着节能议题愈来愈受到关注，其中，太阳能发电可谓是最具代表性的可回收能源，因此使得该市场在近年来不断地成长扩张 |
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ROHM运用硅深掘蚀刻技术推出全新超接面MOSFET (2011.11.29)
ROHM于日前宣布，推出全新低导通电阻之高耐压型功率MOSFET－R5050DNZ0C9，适合太阳能发电系统的功率调节器使用。随着节能议题愈来愈受到关注，其中，太阳能发电可谓是最具代表性的可回收能源，因此使得该市场在近年来不断地成长扩张 |
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Infineon推出第二代碳化硅萧特基二极管 (2010.05.17)
英飞凌（Infineon）日前宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代碳化硅（SiC）萧特基二极管。全新的TO220 FullPak系列产品结合第二代ThinQ!碳化硅萧特基二极管的高效能电气标准以及完全绝缘的封装优势，无需使用绝缘套管及垫片，安装更容易、可靠度更高 |
