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挥别续航里程焦虑 打造电动车最隹化充电策略 (2024.04.29)
随着电动车持续发展，300英里成为标准，续航里程焦虑开始消散。
各国已制定不同的电动车标准，以因应不同的需求和应用。
透过实验室模拟，才是验证电动车和充电桩互通性的最隹方法 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文叙述思考下一代SiC元件将如何发展，从而实现更高的效能和更小的尺寸，并讨论建立稳健的供应链对转用SiC技术的公司的重要性。 |
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意法半导体碳化矽协助理想汽车加速进军高压纯电动车市场 (2024.01.05)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）与中国新能源汽车商理想汽车签立一项碳化矽（SiC）长期供货协议，而意法半导体将为理想汽车提供碳化矽MOSFET，支援理想汽车进军高压电池纯电动车市场的策略 |
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贸泽即日起供货安森美EliteSiC碳化矽系列解决方案 (2023.04.12)
贸泽电子（Mouser Electronics）即日起供货安森美（onsemi）EliteSiC碳化矽（SiC）系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极体、MOSFET、IGBT与SiC二极体功率整合模组（PIM），以及符合AEC-Q100标准的装置 |
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CGD ICeGaN产品技术经维吉尼亚理工大学研究获验证 (2023.04.10)
无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化?? （GaN）开发出多款高能效功率装置，协助打造出更为环保的电子产品；CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现，CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性 |
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贸泽供应英飞凌通用型MOSFET 满足电源转换和管理应用 (2022.11.30)
贸泽电子（Mouser Electronics）供应多款英飞凌通用型MOSFET。对於正在寻找MOSFET以求满足专案、定价或物流要求的设计人员，英飞凌提供广泛的高电压和低电压MOSFET产品组合，能为各种应用提供弹性、价值和调整能力 |
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功率半导体元件的主流争霸战 (2022.07.26)
多年来，功率半导体以矽为基础，但碳化矽（SiC）、氮化??（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体元件的应用更为多元。 |
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新一代单片式整合氮化??晶片 (2022.05.05)
氮化??或氮化铝??（AlGaN）的复合材料能提供更高的电子迁移率与临界电场，结合HEMT的电晶体结构，就能打造新一代的元件与晶片。 |
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运用RTD打造高EMC效能的精准温度量测方案 (2021.11.19)
本文将探讨精准温度量测系统的设计考量因素，以及如何提升系统的EMC效能，同时维持量测的精准度。介绍测试结果以及资料分析内容，从概念转移到原型，以及从概念转移到市场产品 |
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意法半导体推出新款射频LDMOS功率电晶体 (2021.08.17)
意法半导体（STMicroelectronics）所推出的STPOWER LDMOS电晶体产品家族最近新增数款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，皆可针对各种商用和工业用射频功率放大器（PA）进行优化设计 |
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提高电动车充电率 TI推升车用GaN FETs开关频率性能 (2021.02.23)
为了加速电动车（EV）技术导入，满足消费者对续航里程、充电时间与性价比的要求，全球汽车大厂在研发上需要更高的电池容量、更快的充电性能，同时尽可能降低或维持设计尺寸、重量或元件成本 |
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超越5G时代的射频前端模组 (2021.01.05)
透过整合深宽比捕捉（ART）技术与奈米脊型工程，爱美科成功在300mm矽基板上成长出砷化镓或磷化铟镓的异质接面双极电晶体，实现5G毫米波频段的功率放大应用。 |
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英飞凌TRENCHSTOP IGBT7技术推出TO-247封装 (2020.09.29)
英飞凌科技继推出EconoDUAL和Easy封装的TRENCHSTOP IGBT7技术之後，近日再宣布推出基於分立式封装，崩溃电压为650V的TO-247封装版本。
最新的TRENCHSTOP系列产品组合包含20A、30A、40A、50A和75A等级的额定电流，既可用於取代前代技术，也能与前代技术并行使用 |
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PI扩大采用稳健750V GaN电晶体的InnoSwitch3 IC产品范围 (2020.03.11)
节能型电源转换领域的高压积体电路厂商Power Integrations今日宣布推出更多InnoSwitch3 系列离线CV/CC返驰式切换开关IC品项。全新INN3x78C装置整合了体积更小的「8号」750V PowiGaN电晶体，能够让轻薄且高效的电源供应器输出27W至55W功率而无需散热片 |
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新世代的电力电子 将让电动车更便宜、更有效率 (2019.03.11)
：欧盟的HiPERFORM将推出宽能隙的电力电子，并运用在下世代的电动车之中。 |
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如何在单电源工业机器人系统中隔离高电压 (2018.08.31)
在工业自动化应用中，设计人员必须处理多个系统之间电压不一致的问题，光学、磁性和电容屏障等硬体技术有助于解决类比与数位电流隔离的挑战。本文介绍合适的工业电压隔离解决方案及其相关应用 |
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英飞凌CIPOS Mini IPM提高低功率马达效率 (2018.05.25)
全球能源效率标准通常禁止制造商进囗或销售未符合标准的产品，为了满足特定的基本要求，必须透过使用最新技术减少能源损耗，英飞凌科技股份有限公司CIPOS Mini系列新增IM512及IM513产品 |
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贸泽供应NXP MRFX1K80H电晶体 (2017.10.23)
Mouser Electronics（贸泽电子）即日起开始供应NXP Semiconductors 的MRFX1K80H LDMOS电晶体。MRFX1K80H属MRFX系列的射频 (RF) MOSFET电晶体产品之一，采用最新的横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS) 技术 |
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自我保护型 MOSFET提供高可靠性 (2017.09.18)
汽车业需要具有成本效益与完全可靠的解决方案，但这种潜在的破坏性环境，对现代汽车常见的大量控制功能所需的功率半导体装置带来巨大的挑战。 |
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Littelfuse推出新款80A离散型双向瞬态抑制二极体 (2017.08.23)
全球电路保护领域企业Littelfuse公司推出SP11xx系列双向瞬态抑制二极体（SPA二极体）中的最新产品80A离散型双向瞬态抑制二极体。SP1103C系列80A离散型双向瞬态抑制二极体可为电路设计师提供更低的断态电压，用於保护低压电源汇流排免受静电放电（ESD）的损坏 |
