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联电40奈米RFSOI平台可加速5G毫米波应用 (2023.05.03)
联华电子今（3）日宣布，40奈米RFSOI制程平台可供量产毫米波（mmWave）的射频（RF）前端制程产品，推动5G无线网路的普及，与包括在智慧手机、固定无线接入（FWA）系统和小型基地台等方面的应用 |
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瑞萨与AMD合作5G射频和数位前端设计平台 (2023.02.21)
因应行动网路基础设施市场的需求不断增长，瑞萨电子（Renesas Electronics）与AMD合作展示用於5G主动式天线系统（AAS）无线电的完整射频前端解决方案。搭配经过实地验证的AMD Zynq UltraScale+ RFSoC数位前端OpenRAN无线电（O-RU）叁考设计，射频前端包括射频开关、低杂讯放大器和预驱动器 |
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恩智浦推出5G前端解决方案 协助提升5G网路覆盖范围和品质 (2022.09.26)
因应全球5G网路持续增加，越来越多行动网路业者在人囗密度较低的城市区域与郊区采用32T32R解决方案，藉以提升大规模MIMO基站的讯号覆盖范围，却必须使用更高功率的射频装置，并提升每个通道的功率等级（power level），而确保5G讯号覆盖所需的总功率 |
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EPC新350V氮化??功率电晶体 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普电源转换公司（EPC）推出 EPC2050，这是一款 350 V GaN 电晶体，最大 RDS(on) 为 80 mΩ，?冲输出电流? 26 A。 EPC2050 的尺寸仅为 1.95 mm x 1.95 mm。与采用等效矽元件的解决方案相比，基於EPC2050的解决方案的占板面积小十倍 |
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R&S联合FormFactor支持德州大学强化5G和6G射频开关研究 (2022.01.21)
德克萨斯大学奥斯丁分校、Rohde & Schwarz和FormFactor合作开发了一种新的射频开关技术，该技术可以提高电池寿命，支援更高的频宽和切换速度。
2020年，美国德克萨斯大学奥斯丁分校(UT Austin)发表了一项关於六方氮化硼(hBN)射频开关创新技术的研究成果 |
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Microchip扩大氮化镓（GaN）射频功率元件产品组合 (2021.12.02)
Microchip今日宣布扩大其氮化镓（GaN）射频（RF）功率元件产品组合，推出频率最高可达20 GHz的新款单晶微波积体电路（MMIC）和分离电晶体。这些元件同时具备高功率附加效率（PAE）和高线性度，为5G、电子作战、卫星通讯、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的效能水准 |
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商机缓着陆 5G毫米波加速发展看2024-2025年 (2021.03.05)
2019年5G(第五代行动通讯网路)时代揭开序幕，5G网速10倍于4G，挟高速、高频宽、低延迟及广连结等特性，可商用于智慧型手机、IoＴ、AR/VR、自驾车、智慧医疗等领域。想要透过更高频波长传输更大量数据，5G使用的频段扮演重要角色 |
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用于射频前端模组的异质三五族CMOS技术 (2020.02.10)
随着首批商用5G无线网路陆续启用，爱美科为5G及未来世代通讯应用准备了下世代的行动手持装置。 |
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TrendForce解析2020年十大科技趋势 (2020.01.09)
集邦科技（TrendForce）旗下的垂直领域研究单位众多，包含DRAM、显示、绿能与LED等，横跨了多项台湾主流的科技产业。对于2020年，他们的动见观瞻极具指标性。 |
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TrendForce发布2020年十大科技趋势 5G扮火车头 (2019.10.03)
全球市场研究机构TrendForce针对2020年科技产业发展，整理十大科技趋势：
AI、5G、车用三箭头，带动半导体产业逆势成长
2019年在中美贸易战影响下，全球半导体产业呈现衰退 |
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MACOM宣布推出全新的优化负电压驱动器 (2019.01.21)
MACOM Technology Solutions Inc.宣布推出两款全新的负电压驱动器，能够无缝兼容MACOM全系列AlGaAs和HMIC PIN二级管开关产品。相比分立元件的驱动方案，全新集成的MADR-011020和MADR-011022用於驱动MACOM的PIN二级管，可有效简化PCB布局，降低元器件成本并缩短项目研发周期 |
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英飞凌 Bulk-CMOS 射频开关产量逾50亿组 (2018.07.31)
英飞凌科技股份有限公司於 2008 年开始量产第一个 Bulk-CMOS 射频 (RF) 开关。接着在 5G 时代的曙光中，英飞凌精良的产品组合与产品获得全球无线市场创新业者前所未有的欢迎 |
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埃赋隆半导体推出面向射频能量应用的ISM讯号产生器IC (2018.04.09)
埃赋隆半导体（Ampleon）宣布推出BLP25RFE001小讯号产生器IC，它提供一个可程式频率合成器，可产生位於433、915和2,400MHz ISM频段内的讯号。该器件特别设计用於各种射频能量应用，例如工业加热、解冻和??饪以及电浆照明 |
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英飞凌供应LNA 获三星「卓越品质奖」 (2017.11.27)
英飞凌获三星电子颁赠 2017 年第二季半导体供应商类别「卓越品质奖」，英飞凌因供应低杂讯放大器 (LNA) 予三星 Galaxy 智慧型手机系列而获得肯定。
三星电子全球 CS (客户满意) 团队执行??总裁 Kim Kyeongjun 表示：「英飞凌透过持续的努力及与三星的合作，在品质改善及客户满意度方面做出了很大的贡献 |
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东芝推出低插入损耗的智慧型手机射频开关SOI制程 (2015.11.25)
东芝公司（Toshiba）半导体与储存产品公司研发新一代TarfSOI（东芝先进的射频绝缘矽（SOI））制程—TaRF8，该制程针对射频（RF）开关应用进行最佳化，实现低插入损耗。采用新制程制造的SP12T射频开关IC适用于智慧型手机，样品出货将于2016年1月启动 |
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ADI推出2-50 GHz分布式功率放大器 (2015.07.15)
全球高效能半导体讯号处理解决方案厂商亚德诺半导体（ADI）推出HMC1127与HMC1126 MMIC（单晶微波积体电路）分布式功率放大器。这些新型功率放大器裸晶（die）涵盖2-50 GHz频率范围，可简化系统设计和提高性能，频段之间无需射频开关 |
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IDT推出高隔离性与线性射频开关 (2014.11.13)
IDT推出高隔离性与线性射频开关
IDT公司日前推出了F2912开关，此开关为半导体公司首次规划的新射频（RF）开关产品系列。F2912具有先进的低插入损耗、高隔离度及线性等整合特色，是在进行微波回载及前载、检测设备、有线电视头端，WiMAX射频、无线系统与一般开关应用基地台（2G、3G与4G）等工作时的最佳选择 |
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ANADIGICS 的 Wi-Fi 前端FEIC (2012.11.27)
ANADIGICS宣布推出 802.11n 及 802.11ac Wi-Fi 应用的四款前端集成电路 (FEIC)。该公司的 FEIC 提供领先业界的整合度、效率及线性度，对于智能型手机、平板计算机、小笔电、笔记本电脑及游戏机等行动装置，能大幅缩短上市时程、提升电池续航力及达到最大传输量 |
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ANADIGICS发表新型高功率双频前端集成电路 (2009.07.24)
ANADIGICS, Inc发表新型高功率、双频段前端集成电路（FEIC），应对受尺寸限制的行动电子设备对WiFi性能不断增长的需求。AWL9966是高整合设备，具有整合蓝牙路径，以4×4×0.6 mm的小型封装为高性能的紧凑型WiFi前端提供所需的全部射频放大器和射频开关 |
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3G手机功能整合设计挑战 (2005.12.05)
对于复杂度与3G手机相同的系统，结合SiP封装和系统单芯片技术或许是理想的实作方式。但采用CMOS技术的系统单芯片整合，却能实作高效能的模拟数字转换器和数字模拟转换器以及强大的电源管理功能 |
