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Littelfuse超级结X4-Class 200V功率MOSFET具有低通态电阻 (2024.11.26)
工业技术制造公司Littelfuse推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Class功率MOSFET。这些新元件在目前200V X4-Class超级接面MOSFET的基础上进行扩展，有些具有最低导通电阻。由於这些MOSFET具有高电流额定值，设计人员能够采用它们来取代多个并联的低额定电流元件，进而简化设计流程，提高应用的可靠性和功率密度 |
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意法半导体整合化高压功率级评估板 让马达驱动器更小且性能更强 (2024.11.11)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出三相马达驱动器PWD5T60，搭配支援灵活控制策略的即用型评估板，可加速采用节能马达之小尺寸以及可靠的风扇和帮浦开发速度。PWD5T60的运作电压达500V，整合一个闸极驱动器和六个RDS(ON) 1.38?的功率MOSFET，使该元件能够达到出色的额定能量面积比例 |
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贸泽电子推新品：2024年Q3新增近7,000项元件 (2024.10.29)
贸泽电子（Mouser Electronics）协助客户加快产品上市速度。贸泽受到超过1,200个半导体及电子元件制造商品牌的信赖，帮助他们将新产品卖到全世界。贸泽为客户提供100%通过认证的原厂产品，而且还能追踪这些产品自离开制造商工厂以後的完整路线 |
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瑞萨与英特尔合作为新款Intel Core Ultra 200V系列处理器提供最隹化电源管理 (2024.10.24)
瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布与英特尔合作推出新的电源管理解决方案，为采用Intel Core Ultra 200V系列处理器的笔记型电脑提供最隹化电池效率。
新款客制化电源管理IC（PMIC）可满足最新一代英特尔处理器的所有电源管理需求 |
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意法半导体为电动车牵引变频器打造新一代碳化矽功率技术 (2024.10.08)
全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技术。这项新技术不仅满足车用及工业市场的需求，还针对电动车（EV）动力系统中的关键元件牵引变频器进行专门优化，在功率效率、功率密度及稳定性上树立全新的标竿 |
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Diodes新款高额定电流负载开关为数位 IC智慧供电 (2024.06.06)
Diodes 公司扩展DML30xx 智慧负载开关系列推出四款新产品：DML3008LFDS、DML3010ALFDS、DML3011ALFDS 与 DML3012LDC，可针对 0.5V 至 20V 的电源轨达成高电流 (10.5A 至 15A)电源域开关控制。透过这些元件的嵌入式功能，可以高效处理有关微控制器、显示卡、ASIC、FPGA 与记忆体晶片供电的多样需求 |
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2024.5(第390期)PCIe 6.0高速数位传输 (2024.05.07)
AI对运算速度和数据处理有极高要求，
PCIe在AI伺服器或AI PC将扮演关键。
PCIe 7.0优势是更高的传输性能，
以及更隹的能源效率。
透过高速讯号测试设备，
能提供PCIe完整测试验证 |
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P通道功率MOSFET及其应用 (2024.04.17)
本文透过对N通道和P通道MOSFET进行比较，并介绍说明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目标应用。 |
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英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飞凌科技（Infineon）推出最新先进功率 MOSFET 技术 OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显着提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm2SMD封装 |
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Littelfuse超低功耗负载开关IC系列可支援延长电池寿命 (2023.12.28)
Littelfuse公司最新发布保护积体电路（IC）产品系列中的五款多功能负载开关元件。这些新型负载开关IC是额定电流为2和4A的超高效负载开关，整合真正反向电流阻断(TRCB)和压摆率控制功能 |
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Littelfuse新款光隔离光伏驱动器为隔离开关应用提供浮动电源 (2023.12.04)
Littelfuse公司推出新款光隔离光伏驱动器FDA117可产生浮动电源，适用於各行各业隔离开关应用。FDA117专为使用浮动电压源控制分立式标准功率MOSFET和IGBT装置设计，可确保低压驱动输入侧和高压负载输出侧之间的隔离 |
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博格华纳采用ST碳化矽技术为Volvo新一代电动车设计Viper功率模组 (2023.09.08)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）将与博格华纳（BWA）合作，为其专有的Viper功率模组提供最新的第三代750V碳化矽（SiC）功率MOSFET晶片。该功率模组用於博格华纳为Volvo现有和未来多款电动车型设计的电驱逆变器平台 |
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氮化??在采用图腾柱 PFC 的电源设计中达到高效率 (2023.08.04)
世界各地的政府法规要求在交流/直流电源中使用 PFC 级，藉以促进从电网获得洁净电力。PFC 对交流输入电流进行调整以遵循与交流输入电压相同的形状... |
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STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET 质量因数提升40% (2023.06.15)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）之新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET拥有极低的闸极━漏极电荷（QGD）和导通电阻RDS（on），质量因数（Figure of Merit，FoM）相较上一代同类产品提升40% |
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英飞凌推出新双通道电气隔离EiceDRIVER闸极驱动器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的开关式电源（SMPS）透过采用图腾柱PFC级中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能够满足高压DC-DC功率转换要求的氮化??（GaN）功率开关等最新技术，使得功率密度可以达到100 W/inch3 |
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英飞凌针对汽车应用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飞凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列，作为最新一代适合汽车应用的功率MOSFET，提供多种无引脚、强固的功率封装。该系列产品采用了300毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比於其它采用微型封装的元件，具有显着的性能优势 |
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ST：内部扩产与制造外包并进 全盘掌控半导体供应链 (2023.05.18)
技术研发和制造策略是ST达成营收目标的关键要素之一。透过不断投资具有竞争力的专利技术，扩大内部产能，辅之以外包加工。这是ST在半导体策略上的致胜关键。 |
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Diodes推出同步降压转换器 提高汽车负载点产品应用效率 (2023.03.16)
Diodes公司推出两款全新同步降压转换器。面向汽车负载点（PoL）产品应用的DIODES AP66200Q及DIODES AP66300Q，涵盖从3.8V到60V宽大的输入电压范围。这使得12V、24V和48V的汽车系统都可以应用 |
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隔离式封装的优势 (2023.02.09)
本文说明高功率半导体的先进封装有效提升效率及效益的技术与列举应用范例。 |
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东芝推出汽车 40V N 沟道功率 MOSFET采用新型高散热封装 (2023.01.31)
近年来，电动汽车的进展推动对於适应汽车设备功耗增加的组件的需求。东芝电子推出汽车40V N沟道功率 MOSFETXPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它们使用新的 L-TOGL（大型晶体管外形鸥翼引线）封装，并且具有高漏极电流额定值和低导通电阻，今日开始供货 |
