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英飛凌推出EiceDRIVER 125 V高側閘極驅動器 故障即時保護電池 (2024.11.07)
在電機驅動和開關模式電源（SMPS）等電池供電應用中，電源架構通常要求在模組發生故障時能夠斷開該模組與主電源軌的連接。為實現這一功能，往往會採用MOSFET等高側斷開開關，以防止負載短路影響電池 |
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ROHM超高速奈秒級閘極驅動器IC可大幅發揮GaN元件性能 (2023.10.19)
近年來在伺服器系統等應用領域，由於物聯網（IoT）設備的需求漸增，關於電源部分的功率轉換效率提升和設備小型化已成為重要課題，要求功率元件需不斷進行優化。另外，不僅在自動駕駛、工控設備和社會基礎建設監控等應用領域中也非常廣泛的LiDAR，也需要透過高速脈衝雷射光照射來進一步提高辨識精度 |
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英飛凌推出新雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的開關式電源（SMPS）透過採用圖騰柱PFC級中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵（GaN）功率開關等最新技術，使得功率密度可以達到100 W/inch3 |
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ROHM SiC MOSFET/SiC SBD結合Apex Microtechnology模組提升工控設備功率 (2023.03.31)
電源和馬達占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高其效率已成為全球性的社會問題，而功率元件是提高效率的關鍵。ROHM的SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（簡稱SiC SBD）已被成功應用於大功率類比模組製造商Apex Microtechnology的功率模組系列產品 |
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ROHM第4代SiC MOSFET成功導入日立安斯泰莫電動車逆變器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和閘極驅動器IC已被日本知名汽車零件製造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱日立安斯泰莫）使用於電動車（以下簡稱EV）逆變器。
在全球實現減碳社會的過程中，汽車的電動化進程持續加速，在此背景下，開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路 |
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TI與群光電能合作 將GaN導入節能筆電電源供應器 (2022.12.14)
德州儀器（TI）宣布與群光電能（群電）於其最新款 65W 筆電電源供應器「Le Petit」中導入 TI 高整合式氮化鎵（GaN、Gallium nitride）解決方案。搭載 TI 的整合式閘極驅動器 LMG2610 半橋 GaN FET，群電與 TI 成功縮小電源供應器體積達 1/2 ，並提升電源轉換效率至高達 94% |
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SiC牽引逆變器降低功率損耗和熱散逸 (2022.08.25)
本文說明如何在EV牽引逆變器中驅動碳化矽（SiC）MOSFET，透過降低電阻和開關損耗來提高效率，同時增加功率和電流密度。 |
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以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體（IGBT）不同，本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時，設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。 |
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TI：SiC MOSFET可減少功率損耗和熱散逸 (2022.08.11)
隨著電動車（EV）製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈，電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率，來提升續航里程並增加競爭優勢 |
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ROHM SiC技術助力SEMIKRON功率模組 打造次世代電動車 (2022.07.15)
SEMIKRON和半導體製造商ROHM在開發碳化矽（SiC）功率模組方面已經有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用於SEMIKRON車規級功率模組「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑 |
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英飛凌攜手台達 以寬能隙元件搶攻伺服器及電競市場 (2022.07.08)
數位化、低碳等全球大趨勢推升了採用寬能隙（WBG）元件碳化矽/氮化鎵（SiC/GaN）的需求。這類元件具備獨特的技術特性，能夠助力電源產品優化性能和能源效率。
英飛凌科技股份有限公司與台達電子工業股份有限公司兩家全球電子大廠 |
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東芝五款MOSFET閘極驅動器IC新品採用超小型封裝 (2022.06.09)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱東芝）為其TCK42xG系列MOSFET閘極驅動器IC 產品系列增加適用於穿戴式裝置等行動裝置的五款新品。該系列的新產品配備過壓鎖定功能，並根據輸入電壓控制外部MOSFET的閘極電壓 |
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英飛凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展現極高系統可靠性 (2022.04.01)
英飛凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。
這些SiC元件採用英飛凌先進的SiC溝槽式工藝、精簡的D2PAK表面貼裝 7 引腳封裝和 |
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英飛凌推出EiceDRIVER 2EDN閘極驅動器晶片 提升功率性能 (2022.03.31)
英飛凌科技股份有限公司近日推出新一代EiceDRIVER 2EDN閘極驅動器晶片系列。新元件是對現有2EDN驅動器晶片產品線的補充，可減少外接元件的數量，並節省設計空間，從而實現更高的系統效率、卓越的功率密度和持續的系統穩健性 |
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英飛凌全新 EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200 V單通道閘極驅動器系列 (2021.12.22)
英飛凌科技，推出了EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V 單通道閘極驅動器IC系列。新產品系列旨在提高CoolGaN肖特基閘極（SG）HEMT的性能，但也相容於其他GaN HEMT和矽MOSFET。閘極驅動器的目標鎖定廣泛應用，包括DC-DC轉換器、馬達驅動器、電信、伺服器、機器人、無人機、電動工具以及 D 類音訊放大器等 |
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從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例，分析其效率和散熱能力方面的優勢，並說明如何使用此類元件進行設計。 |
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採用LCC拓撲的二相輸入300W交直流LED電源供應器 (2021.05.26)
本文探討如何利用半橋式無引腳晶片載體（LCC）諧振轉換器的數位控制功能，搭配同步整流，來打造300W電源供應器。 |
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ST推出低壓專用閘極驅動器IC 改善無刷馬達控制設計 (2021.01.20)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出一款75V以下低壓工業應用高整合度三相半橋驅動器IC，這是一個節省空間、節能高效的馬達控制解決方案，適用於控制電動自行車、電動工具、泵、風扇、輕型機械、遊戲機和其他設備內的三相無刷馬達 |
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降低開關損耗 儒卓力供貨Rohm節能SiC-MOSFET (2020.08.26)
Rohm的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽閘結構(650V / 1200V)的碳化矽MOSFET元件，提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關性能，並將開關損耗降低多達35% |
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英飛凌推出具備 TDI且超高功率密度的超小型閘極驅動器IC (2020.04.20)
每當 SMPS 內的功率 MOSFET 導通或關閉時，寄生電感會產生地準位浮動，可能造成閘極驅動 IC 的誤觸發。為避免這樣的結果，英飛凌科技旗下具成本效益且尺寸精巧的 EiceDRIVER 1 EDN TDI (真差分輸入) 1 通道閘極驅動器系列新推出一款裝置 |
