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TI新款車用GaN FET 提供高電源效率且密度加倍 (2020.11.11)
德州儀器（TI）拓展其高壓電源管理產品組合，推出適用於汽車及工業應用的650-V 及 600-V 氮化鎵場效電晶體（GaN FET），整合快速開關的 2.2-MHz 閘極驅動器，相較於既有解決方案，其能協助工程師實現電源密度加倍、效率高達99%，且電磁尺寸縮小59% |
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TI最新車用GaN FET 整合驅動器、保護功能與主動式電源管理 (2020.11.11)
德州儀器（TI）近日拓展其高壓電源管理產品組合，推出適用於汽車及工業應用的650V及600V氮化鎵場效電晶體（GaN FET），整合快速開關的2.2MHz閘極驅動器，相較於既有解決方案，其能協助工程師實現電源密度加倍、效率高達99%，且電磁尺寸縮小59% |
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力推5G！恩智浦全新氮化鎵晶圓廠年底產能將滿載 (2020.10.12)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）宣佈正式啟用其位於美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的150毫米（6吋）射頻氮化鎵（Gallium Nitride；GaN）晶圓廠，此為美國境內專注於5G射頻功率放大器的最先進晶圓廠 |
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英飛凌推出行動基地台發射器專用的氮化鎵裝置 (2015.10.02)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）推出碳化矽（SiC）射頻功率電晶體的氮化鎵（GaN）系列產品。憑藉英飛凌的氮化鎵技術，該款新產品可協助行動基地台的製造商打造體積更小、功能更強大，且具彈性的發射器 |
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英飛凌與Panasonic為常關型600V氮化鎵功率半導體建立雙供應源 (2015.03.17)
英飛凌科技（Infineon）與 Panasonic公司宣佈雙方將共同開發以 Panasonic 常關型（強化模式）矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎的氮化鎵 (GaN) 產品，並整合至英飛凌的表面黏著裝置（SMD）封裝 |
