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ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力 |
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Ampleon推挽整合型Doherty電晶體 Sub-6GHz頻段降低佈局 (2022.02.25)
埃賦隆半導體（Ampleon）利用先進的LDMOS電晶體技術，推出B11G3338N80D推挽式3級全整合型Doherty射頻電晶體，該電晶體是GEN11 Macro驅動器系列的載體產品，涵蓋所有Sub-6GHz頻段。
這種高效的多頻段器件覆蓋3.3至3.8GHz的頻率範圍，可實現下一代大功率和具有市場領先效率的大型基地台 |
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意法半導體推出新款射頻LDMOS功率電晶體 (2021.08.17)
意法半導體（STMicroelectronics）所推出的STPOWER LDMOS電晶體產品家族最近新增數款產品，該產品家族有三個不同的產品系列，皆可針對各種商用和工業用射頻功率放大器（PA）進行優化設計 |
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恩智浦將氮化鎵應用於5G多晶片模組 (2021.07.07)
降低能源消耗（energy consumption）為電信基礎設施的主要目標之一，其中每一點效率都至關重要。在多晶片模組中使用氮化鎵可在2.6 GHz頻率下將產品組合效率提高至 52%，比公司上一代模組高出8% |
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恩智浦第二代射頻多晶片模組 提升5G高頻應用45%效能 (2020.12.07)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）宣佈推出第二代Airfast射頻功率多晶片模組（RF Power Multi-Chip Modules），以滿足蜂窩基地台的5G mMIMO主動天線系統（active antenna systems；AAS）在頻率、功率和效率三大方面的進階要求 |
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5G來臨 氮化鎵將逐步取代LDMOS (2020.03.02)
光電協進會(PIDA)指出，氮化鎵(GaN)將逐步取代基地台射頻功率放大器中的LDMOS。儘管LDMOS技術目前仍佔最大的營收部分，但為了要支撐次世代無線網路元件更高頻、更高效率，設備製造商和運營商張開雙臂的擁抱GaN元件，特別是在30 GHz至300 GHz的更高頻率5G部署（包括毫米波段） |
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大功率射頻晶體管面向工業和專業射頻能量應用 (2019.01.18)
Ampleon今天宣布，面向工作在2400MHz至2500MHz頻率範圍內的脈衝和連續波(CW)應用，推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射頻功率晶體管。BLC2425M10LS500P適用於各種工業、消費和專業烹飪射頻能量應用；由於它可以通過單個SOT1250空腔塑料封裝提供500W的CW，因此具有非常高的功率與封裝比 |
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Ampleon推出小尺寸50Ω輸入/輸出250W雙級2.4GHz模組 簡化集成的複雜度 (2018.11.08)
埃賦隆半導體（Ampleon）近日宣佈推出小尺寸雙級250W LDMOS射頻功率模組BPC2425M9X2S250-1。 該高效率模組專為工作在2,400MHz至2,500MHz頻段的大功率連續波（CW）工業、科學和醫療（ISM）應用而設計，尺寸為72mm×34mm，並整合了溫度感測器（可簡化其溫度的監控）、內建散熱器的最先進的多層板，以及一流的LDMOS技術 |
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貿澤供應Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體 適合航空電子應用 (2018.05.31)
貿澤電子即日起開始供應Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 電晶體。
QPD1025在65V的運作功率達1.8 kW，為業界功率最高的碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻電晶體，擁有高訊號完整度和延伸的涵蓋範圍，適合L波段航空電子和敵我識別 (IFF) 應用 |
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200W LDMOS輸入/輸出匹配放大器模組加速433MHz系統開發 (2018.04.11)
埃賦隆半導體（Ampleon）推出基於200W BPC10M6X2S200 LDMOS的功率放大器模組——該模組適用於各種電漿照明、工業加熱、醫療、射頻烹飪和除霜應用。這款小巧輕便的pallet，其工作頻率範圍為423MHz至443MHz，尺寸僅為125mm×33mm，重量為85g，並可在脈衝波和連續波模式下工作 |
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Cree收購英飛凌RF Power業務 擴展4G/5G無線市場 (2018.03.08)
LED照明大廠Cree宣布，收購德國英飛凌射頻功率(RF Power)業務之資產，收購金額約3.45億歐元。這項交易將擴展Cree旗下Wolfspeed事業體在無線市場之商機。交易已經完成並於 3月 6 日生效 |
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埃賦隆半導體參加EDI CON 2018大會 (2018.03.07)
埃賦隆半導體（Ampleon）宣佈其參加3月20日至3月22日在中國北京舉行的電子設計創新大會（EDI CON）的詳細資訊。
埃賦隆半導體所在的630號展位，位於中國國家會議中心的4樓，將會佈置一系列的熱門產品和演示 |
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MACOM和意法半導體將矽上氮化鎵導入主流射頻市場和應用 (2018.02.21)
MACOM和意法半導體（ST）宣佈一份矽上氮化鎵GaN 合作開發協議。據此協定，意法半導體為MACOM製造矽上氮化鎵射頻晶片。除了擴大MACOM之貨源外，該協議還授權意法半導體在手機、無線基地台和相關商用電信基礎建設之外的射頻市場製造、銷售矽上氮化鎵產品 |
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安譜隆SOT502 ISM頻段小型射頻功率放大器 可提供600W功率 (2018.02.09)
安譜隆半導體（Ampleon）推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器電晶體。
這是第一款採用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS製程的射頻能量電晶體——該節點已為大幅提高效率、功率和增益做了優化 |
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貿澤供應NXP MRFX1K80H電晶體 (2017.10.23)
Mouser Electronics（貿澤電子）即日起開始供應NXP Semiconductors 的MRFX1K80H LDMOS電晶體。MRFX1K80H屬MRFX系列的射頻 (RF) MOSFET電晶體產品之一，採用最新的橫向擴散金屬氧化物半導體 (LDMOS) 技術 |
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英飛凌射頻解決方案實現快速、高效率且可靠的5G通訊 (2017.03.14)
【德國慕尼黑訊】即將到來的 5G 網路具備了前所未見的規模、速度與複雜性，無論是大型或小型公司，其業務運作方式將隨之產生革命性的變化，為現有市場和新興市場帶來全新商機，同時也將讓家庭、城市、汽車及工業更佳智慧化、自動化，並且互連連網化 |
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雅特生新款電源轉換器適用於電訊和無線基地台設備 (2016.12.12)
雅特生科技 (Artesyn) 推出全新的ADH700系列 700W 1/2磚直流/直流電源轉換器模組。第一款推出的產品可提供28V的額定輸出，而且可支援高功率無線基地台普遍採用的LDMOS技術。LDMOS亦即?向擴散金屬氧化半導體，這種半導體技術適用於蜂巢式無線網路架構的高功率射頻功率放大器，是這類基地台設備普遍採用的技術 |
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英飛凌以 8.5 億美元現金收購 Wolfspeed (2016.07.18)
英飛凌科技（Infineon）與Cree公司宣佈英飛凌已簽訂最終協議，將收購 Cree 旗下的 Wolfspeed 功率與射頻部門 (「Wolfspeed」)，此收購包括功率與射頻功率的 SiC 晶圓基板事業。此全額現金支付的交易的收購金額為 8.5 億美元 (約 7.4 億歐元) |
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Ampleon建立全球射頻電源合作夥伴 (2015.12.08)
Ampleon公司宣佈，北京建廣資產有限公司成功收購恩智浦半導體的RF電源業務之後，建立了Ampleon公司全球業務運作。Ampleon公司即日起負責全部的射頻（RF）電源業務活動，包括LDMOS和GaN RF電源產品的銷售和支援 |
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英飛凌推出行動基地台發射器專用的氮化鎵裝置 (2015.10.02)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）推出碳化矽（SiC）射頻功率電晶體的氮化鎵（GaN）系列產品。憑藉英飛凌的氮化鎵技術，該款新產品可協助行動基地台的製造商打造體積更小、功能更強大，且具彈性的發射器 |
