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英特爾下世代電晶體微縮技術突破 鎖定應用於未來製程節點 (2023.12.12)
英特爾公開多項技術突破，為公司未來的製程藍圖保留了創新發展，凸顯摩爾定律的延續和進化。在今年 IEEE 國際電子元件會議（IEDM）上，英特爾研究人員展示了結合晶片背部供電和直接背部接觸的3D堆疊 CMOS（互補金屬氧化物半導體）電晶體的最新進展 |
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國研院頒發研發服務平台亮點成果獎 成大研究團隊獲特優獎 (2023.08.31)
為了表彰產官學研各界使用國研院旗下的7個研究中心所提供的各種專業研發服務平台，進而研發前瞻科學與技術成果，國研院徵選「研發服務平台亮點成果獎」，2023年由成功大學電機工程學系詹寶珠特聘教授的研究團隊獲得特優獎 |
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意法半導體ST-ONE系列USD PD控制器提升功率至140W (2023.07.12)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）率先推出通過USB-IF之USB Power Delivery Extended Power Range（USB PD 3.1 EPR）規範認證的整合化數位控制器晶片ST-ONEHP。
ST-ONEHP為ST-ONE系列中的第三款控制器，其輸出電壓為28V，可簡化最高額定功率140W的充電器和電源轉接器的開發設計 |
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碳化矽邁入新時代 ST 25年研發突破技術挑戰 (2021.07.30)
本文探討碳化矽在當今半導體產業中所扮演的角色、碳化矽的研發歷程，以及未來發展方向。以及意法半導體研發碳化矽25年如何克服技術挑戰及創新技術的歷程。 |
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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業航太和國防太空應用認證 (2021.06.09)
太空應用電源必須可以承受極端的太空環境，並在抗輻射技術環境中運作無礙，防止遭受到極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響失效發生事端，導致降低太空系統的效能並干擾運行 |
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PI在InnoSwitch IC銷售量突破10億 持續穩固GaN技術地位 (2020.10.26)
節能型電源轉換高壓IC大廠Power Integrations(PI)今日宣佈，其突破性的InnoSwitch系列IC出貨量正式突破10億大關。InnoSwitch系列於2014年推出，率先採用Power Integrations創新的FluxLink通訊技術，無需光耦合器即可提供高度精確的二次側控制，從而實現優異的能源效率、可靠性和耐用性 |
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工研院於IEDM發表下世代FRAM與MRAM記憶體技術 (2019.12.10)
工研院於今美國舉辦的IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting；IEDM)中發表三篇鐵電記憶體(Ferroelectric RAM；FRAM)以及三篇磁阻隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random-Access Memory；MRAM）相關技術重要論文，引領創新研發方向，並為新興記憶體領域中發表篇數最多者 |
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PI搶先業界推出GaN技術InnoSwitch3 AC-DC轉換晶片 (2019.08.29)
Power Integrations發表了InnoSwitch3系列恒壓/恒流離線反激式開關電源IC的新成員。新的IC可在整個負載範圍內提供95%的高效率，並且在密閉適配器內不使用散熱片的情況下，可提供100 W的功率輸出 |
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貿澤供貨TI LMG3410R070 GaN功率級產品 (2018.12.24)
Mouser Electronics即日起開始供應Texas Instruments (TI) 的LMG3410R070 600V 70 m?氮化鎵 (GaN) 功率級產品。LMG3410R070具有超低的輸入與輸出電容，支援高功率密度之電動馬達應用的新型態需求，適合的應用包括工業型與消費型的電源供應器 |
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前瞻性技術：加速GaN技術應用 (2017.04.26)
GaN將在功率密集的應用中大展身手，它能夠在保持或提升效率的同時，使電源裝置變得更小巧。 |
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科銳協助Delta Elektronika BV公司開發可靠的電源供應器 (2013.07.24)
科銳公司宣佈新擴展的1200 V碳化矽(SiC) 功率MOSFET產品組合，將被納入Delta Elektronika BV公司最先進的電源供應器之中。Delta Elektronika 展示了與採用傳統矽技術設計的電源供應器相比，整體電源損耗減少21%及元件數量減少達45%的新電源供應器 |
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矽電晶體撞牆 奈米碳管接棒機會濃 (2012.11.01)
今日電子產業的發展遇到撞牆期，一個重要的原因，即是業界所奉行的摩爾定律似乎已行不通了。這和晶片構成的矽電晶體已趨近其物理極限有關，想要再進一步推動半導體製程的微縮化發展，顯然得另尋出路 |
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CISSOID推出功率電晶體驅動器晶片組 (2010.12.13)
CISSOID近日宣布，推出THEMIS和ATLAS，其功率電晶體驅動器晶片組可令電機驅動器和電源轉換器的效率更高。
THEMIS和ATLAS分別為控制器和電晶體的推挽功率驅動階段。ATLAS系統擁有2個不同管道,每個功率電晶體的柵極能夠承受2A電流，總4A的能力 |
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軟性顯示大未來：AMOLED (2010.11.09)
繼TFT-LCD之後，AMOLED被喻為下一世代面板。其中有機發光二極體（OLED）為一固態自發光顯示器，具有結構簡單、自發光無需背光源、廣視角、影像色澤美麗、省電等優勢，在中小面板市場可望大幅成長 |
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抓緊EUV和石墨烯 美政府主控"後矽谷"佈局 (2010.11.04)
美國常指責其他國家政府把手伸進特定產業，造成不公平的競爭，阻礙了全球化資本主義市場完全開放的前景。現在，為了繼續維持在全球半導體產業和關鍵技術的主導地位，美國聯邦政府也正在把手伸進半導體產業 |
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中國宣佈成功開發出8吋的SOI晶圓 (2008.11.28)
外電消息報導，中國科學研究院日前表示，已成功開發出第一片使用8吋晶圓的SOI晶片，該晶片的研發成功，意味著中國的晶片生產技術更往前邁進了一個里程碑。
據報導，中國科學研究院上海微系統與資訊技術研究所，突破了清洗、鍵合（Bonding）、研磨和拋光等關鍵技術 |
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軟性顯示器的技術與發展關鍵 (2008.06.06)
軟性顯示器有著輕、薄、可撓曲、耐衝擊與具安全性，且不受場合、空間限制的特性，儼然成為下一世代最佳之平面顯示器。軟性電子技術被譽為改變人類未來的重要技術之一，將重大衝擊人類視覺感官與生活模式 |
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完美家庭網路 (2007.07.13)
電力線乙太網路（Ethernet over Powerline；EoP）技術，可讓既有電力線搖身一變成為數位資訊內容的高速傳輸通道。EoP的技術優勢包括隨處可得、容易架設與使用、具備高效能、具資安防護功能以及可靠性高 |
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從反向工程角度看2006製程技術展望 (2006.05.02)
先進的製程技術吸引了市場的目光，然而經由反向還原工程之角度所發現的電子產業發展，與晶片製造商以及業界專家的觀點可能有所不同。本文將透過反向還原工程技術，從更高的層次展望市場既有技術與市場，內容包括處理器、FPGA與PLD、快閃記憶體、DRAM、CMOS影像感測器以及RF/混合信號晶片 |
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高可靠度高效能非晶矽薄膜電晶體的製作研討會(假日班) (2006.04.26)
由於非晶矽技術具有低溫製程與低成本製造等優點，使得氫化非晶矽薄膜電晶體(a-Si:H TFT)被廣泛的利用在平面顯示應用上，用來控制畫面灰階的變化，更可以被應用在主動式有機發光顯示器中，作為驅動OLED元件的驅動元件 |
