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力旺电子NeoFuse技术于16nm FinFET成功完成验证 (2015.05.06)
力旺电子宣布，其单次可程序（One-Time Programmable, OTP）NeoFuse技术于16奈米鳍式晶体管（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）制程平台成功完成验证，并在今年度完成硅智财开发和导入客户应用 |
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UMC与SuVolta 宣布联合开发28奈米低功耗制程技术 (2013.07.24)
联华电子公司与SuVolta公司,宣布联合开发28奈米制程。该项制程将SuVolta的Deeply Depleted Channel(tm) (DDC)晶体管技术整合到UMC的28奈米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移动(HPM)制程。SuVolta与UMC正密切合作利用DDC晶体管技术的优势来降低泄漏功耗，并提高SRAM的低电压效能 |
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新思科技与联电合作开发出高质量DesignWare IP (2011.10.26)
新思科技（Synopsys）近日宣布扩大合作关系，共同开发用于联电28奈米HLP Poly SiON制程之DesignWare IP。新思科技进一步扩展先前在联电40及55奈米制程上的成功经验，计划将经过验证之DesignWare嵌入式内存（embedded memories）及逻辑库（logic library）用于联电28奈米HLP Poly SiON制程技术中 |
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新一代28nm FPGA技术 (2011.01.12)
本文将介绍半导体产业在满足市场需求方面会面临的种种挑战，以及如何透过适当的 28nm 制程技术来应对这些挑战。高效能、低功耗制程与架构创新这种突破性组合，使最新 28nm FPGA 非常适用于节能、超频宽、超高阶等应用 |
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IBM与特许合作公布32nm代工服务蓝图 (2008.04.18)
IBM与特许半导体共同发表了32nm制程代工服务的发展规划蓝图。根据了解，两公司已于4月4日开始提供设计使用的制程设计工具（PDK），而2008年9月起也将开始提供IP试制用的Shuttle Service（低价少量的芯片设计服务） |
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与CMOS兼容的嵌入式非挥发性内存之挑战与解决方案 (2006.11.22)
从模拟微调应用中的位级、一直到数据或代码储存的千位等级，CMOS 兼容的单一多芯片嵌入式 NVM 的应用范围越来越广。CMOS 的兼容性设计，却给工程师带来必须克服保存和耐久性的挑战，本文所介绍的一些机制和解决方案，可验证出实验结果与理论分析是趋于一致的 |
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新款充电燃料电池可望延长使用时间 (2006.03.14)
根据日经BP社报导，在日前召开的Intel开发技术论坛（Intel Developer Forum；IDF）上，展示许多新款笔记本电脑等可携式终端产品使用的充电电池和燃料电池。充电电池方面，厂商推出高能量密度的锂聚合物充电电池和锂-硫充电电池等产品；在燃料电池方面，则展出了改质型甲醇实验机型 |
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Intel：NB电池续航力工作小组迭有进展 (2004.10.26)
笔记本电脑电池续航力工作小组(Extended Battery Life Working Group；EBL-WG)宣布，在低耗电显示器发展计划达成重要里程碑，耗电量相当或低于3瓦特之12.1/14.1/15.0 XGA显示器面板的全年平均出货量超过600万套，约占2004年所有笔记本电脑预计出货量之12% |
