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先進製程邁入10nm以下時代 科磊推三款光罩檢測系統 (2016.08.19)
隨著半導體先進製程的推演，10奈米（nm）與7nm製程終露曙光；然而，先進製程須得搭配上更先進的光罩檢測技術；晶圓檢測設備製造商KLA-Tencor（科磊）看準了此一檢測需求，針對 10 奈米及7奈米製程，推出了三款先進的光罩檢測系統，分別是光罩決策中心（RDC）、可供光罩廠使用的Teron 640，以及供晶圓廠操作的Teron SL655 |
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全球半導體資本設備市場加速成長 明年增45% (2009.12.14)
國際研究暨顧問機構Gartner預測，2009年全球半導體資本設備支出將衰退42.6%，但整體市場現正快速成長，復甦情況顯著，預計2010年全球半導體資本設備支出將成長 45.3%。
Gartner 研究副總Dean Freeman 指出，晶圓代工支出與少數記憶體廠的選擇性支出，帶動了2009下半年半導體設備市場的成長 |
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Dow Corning矽晶注入式雙層光阻應用於記憶體 (2007.12.10)
材料、應用技術及服務的綜合供應商Dow Corning與東京應用化學（Tokyo Ohka Kogyo）宣佈，兩家公司合作開發的新型雙層光阻已獲得一家DRAM晶片製造商採用，將首度用來量產記憶體晶片 |
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TI利用創新材料降低晶片漏電 實現45nm精密製程 (2007.06.21)
德州儀器（TI）宣佈將把高介電係數（high-k）材料整合到TI最先進和高效能的45奈米晶片電晶體製程。隨著電晶體體積不斷縮小，半導體元件的漏電問題日益嚴重，業界多年來一直研究如何利用高介電係數材料解決這個難題 |
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台積電預計九月推出45奈米製程 (2007.04.10)
就在繪圖晶片及手機晶片大廠相繼導入65奈米量產之際，台積電宣佈，九月起即可完成45奈米製程驗證，並開始為客戶生產。由於此一製程具備相當高的元件密度以及高密度的6電晶體存取記憶體（6T SRAM），因此在70平方厘米的晶片上，可以容納超過5億個電晶體 |
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英特爾宣佈突破性電晶體技術 (2007.01.28)
英特爾（Intel）宣佈一項重大的基礎電晶體設計突破，以兩種全新材料製作45奈米 (nm) 電晶體絕緣層 (insulating wall) 和開關閘極(switching gate)。下一代Intel Core 2 Duo（Intel 酷睿 2 雙核心處理器）、Intel Core 2 Quad（Intel 酷睿2 四核心處理器）和Xeon多核心處理器系列，將使用上億個這種超小型電晶體（或開關） |
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65到45：半導體製程微細化技術再突破 (2006.11.27)
當半導體微細化製程從65奈米邁向45奈米、甚至晶片結構體尺寸將朝向32或是22奈米之際，我們將會面臨什麼未知的物理性質變化？為了追尋更微小體積、切割更多晶片的商業成本效益 |
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高通2007年底前將與台積電合作45奈米製程 (2006.09.11)
手機晶片大廠高通（Qualcomm）表示，已經開始著手45奈米先進製程研發，雖然仍有許多材料上或製程上的問題有待解決，不過整個進展速度仍十分順利，預計2007年下旬就可開始與台積電等晶圓代工夥伴進入試產階段，與台積電在2007年下半年將進入45奈米製程的預估十分符合 |
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PC主記憶體邁向DDR2世代 (2005.01.01)
DRAM的高速化是PC主記憶體重要發展趨勢之一；目前400MHz的DDR DRAM已逐漸無法滿足未來PC的高速需求，而更新一代的DDR2儼然成為接班主流；DDR2擁有比DDR更高的效能、速度及低耗電等特性，並有效提升周邊介面及裝置整體操作效能 |
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193奈米機台到位 台積電浸潤式微影邁新局 (2004.11.08)
據業界消息，台積電積極推動的半導體新一代技術浸潤式（immersion）微影技術，又向前邁進一步，該公司向設備大廠ASML採購的193奈米雛形機已經運抵新竹，並正式移入台積電12廠，台積電研發部門將利用該設備進行相關製程研發，並預計於65奈米世代量產此技術 |
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應材CVD系統廣受全球12吋晶圓廠採用 (2004.08.04)
國際半導體設備大廠應用材料宣布該公司Applied Producer化學氣相沉積（CVD）系統已出貨超過750套，這些客戶並採用其黑鑽石低介電常數（Black Diamond low dielectric）技術來進行沉積作業 |
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全球奈米電子技術現況與趨勢探討 (2004.08.04)
為成為下一世代的市場贏家，奈米級先進製程已經成為全球各大半導體產商積極投入之研究領域，而隨著製程不斷朝向65奈米、45奈米及32奈米以下尺寸推進，所面臨的技術挑戰也更加艱難 |
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設備交期難縮短 半導體產能擴充有限 (2004.06.07)
工商時報引述外資券商SG Cowen Securities針對半導體市場所發布之最新報告指出，因關鍵半導體生產設備交期難以縮短，包括晶圓製造、封裝測試下半年產能擴充幅度有限，所以下半年旺季來臨後，產能吃緊情況將更為嚴重 |
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台積電預計7月完成193奈米浸潤式顯影裝機 (2004.05.09)
據Digitimes報導，台積電預計2004年7月完成全球首台193奈米浸潤式顯影（Immersion Lithography）機台裝機，將以65奈米製程切入，再向下延伸到45奈米、32奈米製程。台積電資深研發副總蔣尚義表示，該公司浸潤式顯影技術是在曝光源與晶圓加入水作為波長縮短介質，可微縮到132奈米，遠低於157奈米微影機台波長 |
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12吋晶圓設備搶手 業者首推預付訂金制 (2004.04.20)
工商時報消息，因各大半導體業者積極興建12吋晶圓廠，相關設備搶手，設備業者甚至推出預付四成訂金保證優先交機權的條件，首開風氣之先的是12吋晶圓顯影設備（photolithography）最大業者ASML |
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曝光機交貨期延長 晶圓產能吃緊現象難舒緩 (2004.03.24)
經濟日報報導，晶圓廠競相擴充產能使設備廠ASML曝光機台交貨期延長，先進0.13微米製程使用的193奈米曝光機新訂單交貨期，更延長達一年，市場預期該現象將使晶圓代工與DRAM廠裝機進度受影響，並導致IC產能吃緊狀況在短期內難以紓解 |
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微影技術的未來 浸潤式vs.奈米壓印式 (2004.02.17)
2003年12月，半導體微影技術，正式進入另一個技術領域。在此之前，我還以為微影技術仍會照著ITRS（國際半導體技術藍圖）的原先藍圖進展，混然未察覺的是，在這個微寒的冬季，科技有又有重大的進展：「浸潤式微影技術」（Immersion Lithography）隆重登場 |
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微影技術的未來 浸潤式vs.奈米壓印式 (2004.02.05)
2003年的12月已成為半導體產業重大技術的轉戾點，不論是浸潤式或者奈米壓印式微影技術在未來都將成為市場主流。 |
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台積電以先進製程技術獲頒行政院傑出科技獎 (2003.12.23)
據經濟日報報導，台積電昨日以領先全球的「0.13微米SoC低介電質銅導線先進邏輯製程技術」獲頒行政院92年度「傑出科學與技術人才獎」。國科會日前舉行的「傑出科技榮譽獎」頒獎典禮，共有台積電副總蔣尚義所領導的團隊，以及黃光國、余淑美、陳壽安等教授獲獎 |
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VLSI預測2004半導體設備市場成長將逾4成 (2003.12.18)
市調機構VLSI Research表示，半導體復甦之說或許稍嫌過度膨脹，但可肯定的是，半導體市場確實逐漸回溫，在此波榮景中，苦陷低潮許久的半導體設備商亦將受惠，推估2004年半導體設備市場規模成長將逾4成 |
