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ASML：高階邏輯和記憶體EUV微影技術的支出可達兩位數成長 (2024.11.14)
艾司摩爾（ASML）預估該公司 2030 年年營收約為 440 億至 600 億歐元之間，毛利率約為 56% 至 60%。除了幾個重要終端市場的成長潛力之外，ASML 認為 AI 帶來的發展可望成為驅動整體社會生產力與創新的主要動力，並為半導體產業創造顯著商機 |
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讓IoT感測器節點應用更省電 (2024.10.24)
本文比較在船舶模式或睡眠模式下，使用負載開關、RTC和外部按鈕控制器的傳統解決方案，與使用整合解決方案改進方案的特性，探討如何在物聯網（IoT）感測器節點應用中更好地實現節能 |
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2024.10(第395期)空中自有黃金屋 (2024.10.01)
隨著全球科技的快速發展，航太電子產業正以驚人的速度推進，
逐步改變我們對於飛行、通信、戰略與日常生活的認知。
航太電子產業正處於前所未有的變革時期，
台灣作為全球電子製造業的重要一員，
正積極參與這場技術革命，
並在全球航太電子供應鏈中扮演著越來越重要的角色 |
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進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性 |
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ASML助晶圓代工簡化工序 2025年每晶圓用電降30~35% (2024.09.06)
因AI人工智慧驅動半導體需求，全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾（ASML）今（6）日於SEMICON Taiwan 分享新一代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術，並表示將協助晶片製造商簡化製造工序、提高產能，並降低每片晶圓生產的能耗 |
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資騰科技引領先進製程革命 協助提升半導體良率 (2024.09.03)
因應現今半導體產業對於ESG議題更加重視，佳世達集團羅昇旗下資騰科技也即將在今年9月4~6日舉行的「SEMICON Taiwan國際半導體展」M0842攤位上，偕同歐美日及在地合作夥伴參展，並聚焦於運用隨機性誤差量測工具在先進製程與EUV應用；以及VOC回收產品等，可利用回收AI伺服器散熱的雙相浸潤式冷凍液，協助客戶達成環境永續目標 |
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imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
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小晶片大事記：imec創辦40周年回顧 (2024.07.02)
1984年1月，義大利自行車手Francesco Moser創下當時的世界一小時單車紀錄；美國雷根總統正式宣布競選連任；蘋果史上第一台Mac上市。而比利時正在緊鑼密鼓籌備一重大活動，於1月16日正式成立比利時微電子研究中心（imec） |
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ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室 (2024.06.05)
比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）曝光機原型TWINSCAN EXE:5000以及相關的製程和量測工具 |
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英特爾晶圓代工完成商用高數值孔徑極紫外光微影設備組裝 (2024.04.22)
英特爾位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發基地中，研發人員已完成商用高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）組裝。此台由微影技術領導者艾司摩爾（ASML）供應的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影設備，將開始進行多項校準步驟，預計於2027年啟用、率先用於Intel 14A製程，協助英特爾推展未來製程藍圖 |
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低 IQ技術無需犧牲系統性能即可延長電池續航力 (2024.04.17)
由於電池製造的功率需求帶來全新且複雜的限制，使得現今電池續航力必須具備最長的運作時間與更長的保存壽命，且無需犧牲系統性能。 |
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應材Sculpta圖案化解決方案 拓展埃米時代晶片製造能力 (2024.02.29)
隨著台灣晶圓代工大廠持續向外擴充版圖，並將製程推進至2nm以下，正加速驅動晶片製造廠商進入埃米時代，也越來越受惠於新材料工程和量測技術。美商應用材料公司則透過開發出越來越多採用Sculpta圖案成形應用技術，與創新的CVD圖案化薄膜、蝕刻系統和量測解決方案 |
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Imec展示高數值孔徑EUV生態系統進展 率先導入ASML曝光機 (2024.02.26)
於本周舉行的2024年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）將呈現在極紫外光（EUV）製程、光罩和量測技術方面取得的進展，這些技術都在為實現高數值孔徑（high-NA）EUV微影應用而籌備 |
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Toppan Photomask與IBM簽署EUV光罩研發協議 推進2奈米技術 (2024.02.14)
半導體光罩供應商Toppan Photomask宣布，已與IBM就使用極紫外(EUV)光刻技術的2奈米(nm)節點邏輯半導體光罩的聯合研發達成協議。該協議尚包含開發用於下一世代半導體的高NA EUV光罩 |
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新唐Cortex-M4微控制器系列推升工作極寬溫範圍 (2023.12.26)
新唐科技全新一代高性能M463微控制器系列搭載200 MHz Arm Cortex-M4處理器，同時推升工作溫度範圍從-40℃至125℃，應對嚴苛的高溫環境要求，並確保在極端條件下穩定運行。除了極寬溫工作溫度範圍外 |
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新唐科技針對來汽車電子和工業市場 推出Cortex-M4微控制器系列 (2023.12.26)
新唐科技推出高性能M463微控制器系列，此系列搭載了200 MHz Arm Cortex-M4處理器，同時一舉推升工作溫度範圍從-40℃至125℃，以應對嚴苛的高溫環境要求，並確保在極端條件下穩定運行 |
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康佳特COM Express模組通過IEC-60068認證 可應用於鐵路運輸領域 (2023.09.11)
全球嵌入式和邊緣運算技術供應商德國康佳特宣佈，搭載第11代Intel Core（代號Tiger Lake）處理器的conga-TC570r COM Express Type 6 Compact模組獲得IEC-60068認證。獲得此認證顯示該系列模組可應用於鐵路運輸領域，也是肯定該系列在應對溫差過大，溫度變化迅速，衝擊大，振動強等極端條件時的性能 |
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筑波與泰瑞達攜手ETS 打造化合物半導體動態測試方案 (2023.09.01)
筑波科技(ACE Solution)與美商泰瑞達(Teradyne)攜手合作推出ETS GaN Mos、Power Module、IGBT測試整合方案。半導體功能測試（FT）向來需要克服各種挑戰，包括複雜的案例設計、執行和系統維護、數據分析管理，以及對測試環境穩定性的高度要求 |
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imec與ASML簽署備忘錄 推動歐洲半導體的研究與永續創新 (2023.06.30)
比利時微電子研究中心（imec）及艾司摩爾（ASML）宣布，雙方計畫在開發最先進高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）微影試驗製程的下一階段強化彼此之間的合作。
該試驗製程的目標是協助採用半導體技術的所有產業了解先進半導體技術所能帶來的契機，並提供一套能在未來支援其創新的原型設計平台 |
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STLINK-V3PWR線上除錯燒錄器 支援下一代超低功耗應用 (2023.05.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出之STLINK-V3PWR是一款線上除錯燒錄器，能夠準確地測量在任何一款STM32微控制器（MCU）上運行的應用功耗。
該產品的寬動態測量能夠處理物聯網和無線應用等功耗敏感的開發專案，範圍從奈安培（Nanoamp，nA）到500mA的電流值，而且準確度維持在±0.5% |
