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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性 |
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Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品組合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 額定電流為 6A、16A 和 20A 的工業級裝置-2 包裝有利於更大的設計靈活性 |
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東芝推出最新低熱阻及低逆向電流之肖特基二極體 (2018.07.16)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出新型肖特基障壁二極體產品CUHS10F60，主要用於電源電路整流和回流預防等應用。
CUHS10F60在其新開發的US2H封裝中採用105°C/W低熱阻，封裝代碼為SOD-323HE，該封裝的熱阻較傳統USC封裝降低約50%，散熱效果更佳 |
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英飛凌推出車用CoolSiC肖特基二極體 結合效能與耐用性 (2018.06.19)
英飛凌科技股份有限公司首款車用碳化矽系列CoolSiC肖特基二極體系列於日前PCIM展會上亮相，該款肖特基二極體已準備就緒，可用於目前和未來油電混合車和電動車中的車載充電器 (OBC) 應用 |
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安森美推出碳化矽二極體 提供高能效、高功率密度 (2018.03.01)
安森美半導體（ON Semiconductor）推出最新650 V碳化矽（SiC）肖特基二極體（Schottky diode）系列產品，擴展SiC二極體產品組合。這些二極體的先進碳化矽技術提供更高的開關效能、更低的功率損耗，並輕鬆實現元件並聯 |
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Littelfuse推出經擴展的碳化矽肖特基二極體產品系列 (2018.01.24)
Littelfuse, Inc.推出四個隸屬於其第2代產品家族的1200V碳化矽（SiC）肖特基二極體系列產品，該產品家族最初於2017年5月發佈。
LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的額定電流分別為8A、15A、20A，並採用主流的TO-220-2L封裝 |
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英飛凌第六代 650 V CoolSiC肖特基二極體可快速切換 (2017.10.02)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出650 V CoolSiC肖特基二極體G6。這項 CoolSiC二極體系列的最新發展以G5的獨特特性為基礎，提供可靠性、高品質及更高的效率。CoolSiC G6二極體讓600 V與650 V CoolMOS 7系列的功能更臻完善，適用於伺服器、PC電源、電信設備電源及PV變頻器等目前與未來的應用 |
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Diodes推出新款可程式化調光LED驅動器 (2016.10.21)
Diodes公司推出AL3050電流模式升壓型LED驅動器，為攜帶型設備的LED背光提供可程式化亮度功能。這款產品具有先進的調光特點、小尺寸、低BOM成本和高效率的優點，適合帶有小型LCD面板的單鋰電池設備，例如多功能/智慧手機、攜帶型媒體播放機、GPS接收器以及其他高移動性裝置 |
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Littelfuse將於2016年PCIM Europe展示市場應用解決方案 (2016.05.10)
全球電路保護領域的企業 Littelfuse公司，將出席2016年5月10-12日在德國紐倫堡舉行的2016年PCIM Europe展。該展會是展示電力電子領域最新發展的世界盛會之一。 本次展會上，Littelfuse將在7-140展臺（7廳）展示兩個全新的電源半導體系列：碳化矽（SiC）肖特基二極體和矽IGBT技術 |
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凌力爾特雙組二極體控制器 (2012.06.15)
凌力爾特 (Linear) 日前發表0V至18V雙組理想二極體控制器LTC4353，其能取代兩個高功率肖特基二極體，能透過對於供應電壓的最小干擾達到多個電源的低漏失。LTC4353可穩壓橫跨於外部N通道MOSFET的順向壓降，以在diode-OR應用中確保電流之間的平穩電流轉換 |
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恩智浦半導體最高支援1.5A的0.37mm超平封裝肖特基整流器 (2012.03.02)
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日宣佈推出針對行動設備市場的新一代低VF肖特基整流器，為微型化發展樹立新的重要基準。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑膠封裝典型厚度僅有0.37 mm，尺寸為1.6 x 0.8 mm，是市場上支援最高1.5A電流的最小元件 |
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凌力爾特發表雙通道4A PowerPath理想二極體元件 (2011.11.14)
凌力爾特（Linear）日前發表，一款完整的雙通道4A PowerPath理想二極體元件LTC4415，專為縮減熱量、壓降和電路板空間而設計，同時可保存電源切換電路中的電池續航力。LTC4415是需要理想Diode-ORing功能，以用於負載共享或在兩個輸入電源間自動切換之應用的理想選擇 |
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IR推出超小尺寸之高效率60A額定電流元件 (2011.03.31)
國際整流器公司（IR）於今（30）日產品記者會中宣佈，推出整合式PowIRstage產品系列的第一個產品IR3550。該公司表示，該新產品提供更高效率和更佳的熱效能。並擁有最小的占位面積外，還簡化了DC-DC轉換器的設計，適用於下一代高效能伺服器、儲存和通訊系統 |
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IR新款25 V及30 V高性能PQFN功率MOSFET系列 (2010.12.08)
國際整流器公司（IR）近日宣布，推出一系列25 V及30 V元件，採用了IR最新的HEXFET MOSFET矽元件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電訊系統、網路通訊和高端桌上及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器，帶來高密度、可靠，且高效率的解決方案 |
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肖特基二極管對酞菁銅奈米線陣列的多孔氧化鋁模板中嵌入-肖特基二極管對酞菁銅奈米線陣列的多孔氧化鋁模板中嵌入 (2010.11.22)
肖特基二極管對酞菁銅奈米線陣列的多孔氧化鋁模板中嵌入 |
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快捷半導體推出新款升壓轉換器 (2010.08.17)
快捷半導體公司於日前宣布，推出結合N溝道MOSFET和肖特基二極體的器件FDZ3N513ZT，占位面積僅為1mm x 1mm，以滿足客戶需求和發展趨勢。
FDZ3N513ZT是升壓轉換器中的主要元件，用以驅動串聯白光LED，為智慧型手機的顯示螢幕（以及按鍵，如果有鍵盤的話）提供照明 |
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快捷推出超緊湊薄型MicroFET MOSFET產品系列 (2010.05.24)
快捷半導體（Fairchild）為滿足可攜式產品設計人員不斷追尋效率更高、外形更小更薄的解決方案的需求，推出採用超緊湊薄型（1.6mm x 1.6mm x 0.55mm）封裝的高性能MicroFET MOSFET產品系列 |
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快捷推出新款緊湊型背光照明解決方案 (2010.03.25)
快捷半導體（Fairchild）近日宣佈，推出新款背光照明解決方案FAN5341，以滿足現今電池供電型可攜式電子產品客戶對節省電能並實現更多功能的需求。FAN5341是高效的LED驅動器解決方案，能夠提升可攜式設計的亮度和解析度，同時提供32級調光功能，並可驅動多達5個串聯的白光LED |
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針對奈米電子時代的非揮發性記憶體 (2010.02.02)
目前主流的基於浮閘快閃記憶體技術的非揮發性記憶體（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，快閃記憶體本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節點 |
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Linear發表2.5μA靜態電流之降壓DC/DC轉換器 (2009.12.23)
凌力爾特（Linear Technology）日前發表350mA、 60V超低靜態電流之降壓切換穩壓器LT3990，此元件的Burst Mode操作可於無負載待機狀態下將靜態電流維持在2.5uA以下。4.3V至60V輸入電壓範圍，使其適合汽車及工業等需要以超低功耗進行連續輸出之應用 |
