账号:
密码:
相关对象共 75
(您查阅第 3 页数据, 超过您的权限, 请免费注册成为会员后, 才能使用!)
高阶晶片异常点无所遁形 C-AFM一针见内鬼 (2024.03.21)
从电性量测中发现晶片故障亮点,逐层观察到底层仍抓不到异常?即使在电子显微镜(SEM)影像中侦测到异常电压对比(VC)时,也无法得知异常点是发生在P接面还是N接面?本文为电性异常四大模式(开路、短路、漏电和高阻值)快速判读大解析
震旦通业航太、军工3D解决方案可协助快速、精准制程 (2023.09.19)
随着全球军工和航太零部件需求的急剧增加,根据Mordor研究机构预测,2028年航空航天和国防领域的3D列印市场将达到73.7亿美元,预计年复合增长率为19.40%。震旦集团旗下通业技研日前叁加2023台北航太暨国防工业展览会时
晶背供电技术的DTCO设计方案 (2023.08.11)
比利时微电子研究中心(imec)于本文携手矽智财公司Arm,介绍一种展示特定晶背供电网路设计的设计技术协同优化(DTCO)方案,其中采用了奈米矽穿孔及埋入式电源轨来进行晶背布线
非铜金属半镶嵌制程 实现窄间距双层结构互连 (2022.08.05)
imec展示全球首次实验示范采用18nm导线间距的双金属层半镶嵌模组,强调窄间距自对准通孔的重要性,同时分析并公开该模组的关键性能叁数,包含通孔与导线的电阻与可靠度
评比奈米片、叉型片与CFET架构 (2022.04.21)
imec将於本文回顾奈米片电晶体的早期发展历程,并展??其新世代架构,包含叉型片(forksheet)与互补式场效电晶体(CFET)。
延续后段制程微缩 先进导线采用石墨烯与金属的异质结构 (2021.08.05)
由石墨烯和金属构成的异质结构有望成为1奈米以下后段制程技术的发展关键,本文介绍其中两种异质整合方法,分别是具备石墨烯覆盖层的金属导线,以及掺杂石墨烯和金属交替层的堆叠元件
加速导入二维材料 突围先进逻辑元件的开发瓶颈 (2021.05.10)
二维材料是备受全球瞩目的新兴开发选择,各界尤其看好这类材料在延续逻辑元件微缩进展方面的潜力。
超越5G时代的射频前端模组 (2021.01.05)
透过整合深宽比捕捉(ART)技术与奈米脊型工程,爱美科成功在300mm矽基板上成长出砷化镓或磷化铟镓的异质接面双极电晶体,实现5G毫米波频段的功率放大应用。
迈向1nm世代的前、中、后段制程技术进展 (2020.12.08)
为了实现1nm技术节点与延续摩尔定律,本文介绍前、中、后段制程的新兴技术与材料开发,并提供更多在未来发展上的创新可能。
蔡司推出Crossbeam Laser FIB-SEM 量级化速度加快封装失效分析 (2020.02.13)
蔡司(ZEISS)宣布推出蔡司Crossbeam Laser,专为指定区域使用的聚焦离子束扫描式电子显微镜(FIB-SEM)全新系列解决方案,可大幅提升先进半导体封装失效分析及制程优化的速度
3D FeFET角逐记忆体市场 (2019.11.25)
爱美科技术总监Jan Van Houdt解释FeFET运作机制,以及预测这项令人振奋的「新选手」会怎样融入下一代记忆体的发展蓝图。
解决7奈米以上CMOS的接触电阻挑战 (2019.06.11)
随着新型钛矽化技术的发展,来自爱美科(imec)的博士生Hao Yu,介绍了改进源/汲极接触方案,这将能解决先进CMOS技术接触电阻带来的挑战。
Wind River将在世界行动通讯大会上展示边缘云计算的应用 (2019.02.26)
Wind River将在2月26-28日的世界行动通讯大会上携手Titanium Cloud生态系统合作夥伴,展示边缘云计算的应用。Wind River Titanium Cloud虚拟化平台为众多合作夥伴提供了多面向的应用实例
英特尔在中国力推5G 将与手机晶片商合作 (2018.09.25)
英特尔今天在中国北京举行的5G峰会上,公布了其5G价值链的新发展,以及在中国的供应链夥伴的新合作项目,包含百度、中国移动、中国电信、联通、H3C、华为、腾讯、Unisoc和中兴通讯
简化ARM Cortex-M0+物联网嵌入式设计 (2018.04.24)
本文介绍一种使用来自 Adafruit Industries 的微型开发板较为容易的方法。该开发板结合Python程式设计语言的嵌入式设计变体与基于ARM Cortex-M0+处理器的高阶32位MCU。
接枝技术助益3D TSV制程 (2016.07.28)
金属沉积是成功的TSV性能的关键制程之一。在TSV的常规金属沉积制程中,阻障和晶种步骤使用的是传统的自上而下的沉积制程,用来实现高深宽比TSV的金属化时,可能会给传统制程带来一些挑战
宜特TEM材料分析技术达5奈米 (2016.06.22)
随半导体产业朝更先进制程发展之际,iST宜特材料分析(Material Analysis, MA)检测技术再突破!宜特宣布,TEM材料分析通过国际级客户肯定,验证技术达5奈米制程。 宜特近期不仅协助多间客户在先进制程产品上完成TEM分析与验证
运动控制软硬并进 (2016.05.16)
运动控制是工厂自动化系统的核心环节,各自动化大厂在此均有完整产品布局,近年来工业4.0概念兴起,运动控制在软硬两端都有长足的进展。
iST建高阶TEM,聘权威-鲍忠兴博士,材料分析能量大跃升 (2014.05.12)
随着半导体产业不断寻求朝20/14奈米制程发展之际,电子验证测试产业-iST宜特科技在材料分析不缺席。iST宜特今(5月12号)宣布除了布建目前业界EDS元素分析能力最强的TEM设备:JEM-2800外,更和成大微奈米中心进行材料分析技术开发合作,同时聘请该中心副研究员、国内顶尖TEM权威-鲍忠兴博士担任顾问,设备与技术能量一次到位
Design Note 521 - 80V Synchronous 4-Switch Buck-Boost Controller Delivers Hundreds of Watts with...-Design Note 521 - 80V Synchronous 4-Switch Buck-Boost Controller Delivers Hundreds of Watts with... (2013.10.29)
Design Note 521 - 80V Synchronous 4-Switch Buck-Boost Controller Delivers Hundreds of Watts with...


     [1]  2  3  4   [下一頁]

  十大热门新闻
1 意法半导体整合化高压功率级评估板 让马达驱动器更小且性能更强
2 Pilz多功能工业电脑IndustrialPI适用於自动化及传动技术
3 SKF与DMG MORI合作开发SKF INSIGHT超精密轴承系统
4 宜鼎E1.S固态硬碟因应边缘伺服器应用 补足边缘AI市场断层
5 Microchip支援NIDIA Holoscan感测器处理平台加速即时边缘AI部署
6 Flex Power Modules为AI资料中心提供高功率密度与效率的IBC系列
7 瑞萨全新RA8 MCU系列将Arm Cortex-M85处理器高效引入成本敏感应用
8 Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC
9 ROHM第4代1200V IGBT实现顶级低损耗和高短路耐受能力
10 英飞凌首款20 Gbps通用USB周边控制器提供高速连接效力

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: [email protected]