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ROHM新款SiC萧特基二极体支援xEV系统高电压需求 (2024.11.14)
半导体制造商ROHM开发出引脚间沿面距离更长、绝缘电阻更高的表面安装型SiC萧特基二极体（SBD）。目前产品阵容中已经有适用於车载充电器（OBC）等车载应用的「SCS2xxxNHR」8款机型
DELO证明旒合剂为miniLED焊接替代方案的可行性 (2024.10.28)
由於显示产业在连接SMD元件时仍然依赖焊料。但是，随着晶片越来越小，miniLED 应用进入大规模量产，microLED即将问世，焊料等各向同性导电材料在这种应用规模下，很快就无法避免出现短路
Littelfuse首创业界超大电流小尺寸SMD保险丝871系列 (2024.10.16)
Littelfuse公司推出871系列超大电流SMD保险丝，这项创新系列是对881系列的补充，提供150A和200A保险丝额定电流，是对881系列125A最大额定电流的重大升级。871保险丝系列为电子设计人员提供单一保险丝、表面安装解决方案，无需并联保险丝配置
英飞凌XENSIV PAS CO2 5V感测器提高建筑效能及改善空气品质 (2024.10.11)
在全球的能源消耗和碳排放量当中，建筑占据大部分的比例，为了推动低碳化进程，必须提高建筑的能源效率，而创新的解决方案能够优化能源消耗和维持室内环境的空气品质
DELO证明黏合剂为miniLED焊接替代品的可行性 (2024.09.10)
DELO内部进行可行性研究，使用定向导电黏合剂对miniLED晶片进行电气和机械连接。结果显示，在亮灯测试期间具有可靠的黏合强度和高良率。这些发现显示黏合剂显然可以改善miniLED显示器的制造，使其更好地适应大众市场，并为大规模microLED显示器生产开辟道路
Bourns新款车规级薄膜晶片电阻符合AEC-Q200标准 (2024.08.26)
为了满足汽车、手机、SD卡、DDR记忆体和相机模组等应用需求对小型、高精度电阻的日益增长。美商柏恩Bourns全新推出符合AEC-Q200标准的车规级薄膜晶片电阻系列。Bourns CRT-A系列相较於传统的通孔型电阻，提供更高的电阻公差精度和温度系数（TCR）
英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飞凌科技（Infineon）推出最新先进功率 MOSFET 技术 OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显着提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm2SMD封装
Littelfuse超小型包覆成型磁簧开关适用於空间受限设计 (2024.02.27)
Littelfuse公司推出59177系列超小型包覆成型磁簧开关，为设计人员提供高度灵活性，满足空间受限的应用需求。凭藉紧凑型设计和低功耗，59177系列磁簧开关为各类高速开关应用提供可靠的解决方案
通过车用被动元件AEC-Q200规范的测试要点 (2023.12.25)
想知道最新AEC-Q200改版，到底改了什麽吗? 又该如何测试才能通过AEC-Q200验证，打入大厂车用供应链呢？
高功率锂离子电池适用的硕特UHP-SMD保险丝 (2023.12.07)
在电子领域，尤其是汽车产业，正不断提升对高达48伏直流高性能解决方案的需求。为了可靠地保护更高的工作电流，硕特（SCHURTER）精心设计的UHP保险丝，可在两倍额定电流的情况下断开电路，一切最多只要15秒就可以完成
Transphorm新款TOLT封装形式的SuperGaN FET提供更灵活的热管理 (2023.11.29)
Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧，为采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件
顶部散热MOSFET助提高汽车系统设计的功率密度 (2023.11.20)
本文讨论顶部散热（TSC）作为一种创新的元件封装技术能够如何帮助解决多馀热量的散热问题，从而在更小、更轻的汽车中实现更高的功率密度。
净零转型再添实绩 工研院助仁仪建置CO2捕获与再利用验证场域 (2023.11.09)
在经济部产业技术司科技专案计画补助下，工研院与仁仪公司建置二氧化碳（CO2）捕获及再利用示范验证场域，进行碳循环再利用技术验证，将产业界排放的CO2做为原料并转化应用发电
Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件
Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI应用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管（FET），导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案
Littelfuse新型汽车级400 W瞬态抑制二极体采用表面贴装式封装 (2023.08.15)
汽车电子产品的数量和复杂程度不断增加，而所有相关元件都需要针对高电压、高能瞬态的保护力。工业技术制造公司Littelfuse推出新型SZSMF4L 400 W瞬态抑制二极体系列。 SZSMF4L瞬态抑制二极体具有快速回应时间、低齐纳阻抗、高浪涌处理能力和出色的钳位能力，可为这些敏感系统提供保护；其低泄漏电流同时也能够保护感测器
高压分离式功率元件HV Si-MOSFET应用效能 (2023.08.01)
本文重点介绍Littelfuse提供2 kV以上的高压分离式功率元件HV Si-MOSFET。
英飞凌推出静态开关用的全新工业级和车规级高压超接面MOSFET (2023.07.31)
在静态开关应用中，电源设计着重於得以降低导通损耗、优化热性能、实现精简轻便的系统设计；英飞凌科技（Infineon）正扩大其CoolMOS S7 系列高压超接面（SJ）MOSFET 的产品阵容因应所需
Littelfuse推出LTKAK2-L系列大功率瞬态电压抑制二极体 (2023.06.13)
Littelfuse公司宣布推出最新产品LTKAK2-L系列大功率瞬态电压抑制二极体（TVS Diodes）， 其采用表面贴装（surface mount）的解决方案满足了市场对相容自动化PCB组装制程的高浪涌额定值TVS二极体的需求
Littelfuse推出3425L系列SMD自恢复PPTC过电流保护元件 (2023.05.17)
Littelfuse宣布推出3425L系列表面贴装（SMD）自恢复PPTC（聚合物正温度系数）过电流电路保护元件。最新的3425L系列SMD PPTC是Littelfuse PolySwitch系列自恢复过电流保护元件的扩展项目，它以小型的表面贴装8763mm（3425 密耳）尺寸提供可自恢复的高电压过电流保护性能


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