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南科发表笔记本电脑专用内存 (2008.09.23)
内存厂商南亚科技股份有限公司(南科),宣布支持新世代Intel Centrino 2 Montevina笔记本电脑新处理器平台的南亚科技旗下Elixir DDR3 1066 SODIMM笔记本电脑专用内存正式登场。相继推出容量1GB及2GB SODIMM笔记本电脑专用内存产品
南亚科技Elixir DDR3-1333荣获2008年台湾精品奖 (2008.07.23)
通路品牌Elixir所推出之Elixir DDR3-1333桌上型内存模块,再度荣获2008年台湾精品奖。继2007年Elixir DDR2以卓越的质量及高性能表现荣获第15届台湾精品奖,今年Elixir更以高效能、高容量及低耗电量的Elixir DDR3-1333蝉连台湾精品奖
华邦为十二吋厂与多家银行签订联合授信案 (2008.06.05)
华邦电子为因应该公司在中科十二吋晶圆厂之扩建与制程技术提升之需要,办理新台币77亿元五年期之银行联贷,于今6月4日由华邦电子公司董事长焦佑钧及中国信托商业银行总经理陈佳文共同主持联合授信签约典礼
力晶宣布2008年4月营收达新台币51.12亿元 (2008.05.07)
力晶半导体宣布内部自行结算之营收报告,2008年4月营收达新台币51.12亿元,较3月成长12.5%。据了解,力晶副总经理暨发言人谭仲民表示,由于70奈米制程已成为该公司的生产主力,在整体出货量成长和标准型DRAM现货价小幅回升的带动下,力晶4月营收较3月成长12.5%
海力士将开始生产54奈米制程内存芯片 (2008.03.31)
外电消息报导,海力士(Hynix)半导体执行长Kim Jong-kap日前表示,该公司预计将从今年开始生产使用54奈米制程的DRAM内存芯片,并可能交由茂德进行生产。 Kim Jong-kap表示,他对2008年下半年的内存芯片市场表示乐观
茂德最快第二季将获海力士54奈米制程技术 (2008.03.17)
茂德与海力士间的次世代技术授权谈判近期将出现进展。据了解,由于南韩政府放行,海力士可将技术移转海外合作伙伴,因此茂德与海力士间的技术授权谈判已重新开启,未来茂德可望取得海力士先进的54奈米制程技转
为提升获利 DRAM厂纷导入70奈米制程 (2007.11.12)
DRAM以70奈米制程生产时,测试时间将增加40%。据了解,512Mb的DDR2毛利下跌,因此DRAM厂商为了降低生产成本,纷纷将制程导入70奈米,而产品线也开始转向生产价格较高的1Gb DDR2
跨国合资开花结果 瑞晶中科新厂启用 (2007.10.12)
总投资将达新台币4500亿元的瑞晶电子,今(12日)于台中科学园区后里分部举办新厂落成启用典礼。此座十二吋晶圆厂的启动,不仅将带动当地的经济与就业,也成为中、日高科技业合作争取DRAM市场世界第一的里程碑
IC Insights:2007下半年DRAM景气将回温 (2007.08.27)
外电消息报导,市场研究机构IC Insights日前预测,由于学生即将开学,以及固定的假期需求,2007上半年低迷的DRAM景气,将有望在下半年逐渐回温。 IC Insights表示,根据预测的结果,2007年DRAM单位出货成长率约为49%,而位出货量则会大幅成长81%,但仍有可能遭遇一些变故
奇梦达推出省电型FB-DIMM产品 (2007.07.10)
内存产品供货商奇梦达公司,近日推出首款Quad-Rank的8GB DDR2 Fully-Buffered Dual-In-Line Memory Modules(FB-DIMMs)内存模块,这项技术不仅带来新一代的多核心服务器效能,且能降低服务器的耗电量
瑞晶将兴建第二座12吋晶圆厂 (2007.06.28)
瑞晶即将开始量产,并兴建第二座十二吋厂。据了解,为了持续推展DRAM成本竞争力,力晶与尔必达合资的瑞晶将兴建第二座十二吋DRAM厂,预计八、九月动工,至于瑞晶一厂正装机试产,大量生产会在八、九月,年底产能将达3万片
SSD的市場來臨? (2007.06.27)
SSD的市場來臨?
2007 DRAM最重要趋势为70奈米的推进 (2007.05.02)
DRAM报价跌势剧烈,除了将产能转移外,为持续降低营运成本,台湾内存厂的茂德、力晶都将加快70奈米制程的脚步,至于华邦则宣布试产80奈米,90奈米与70奈米产出比例相差55%,下半年将主流制程推进到70奈米后,将更具成本竞争优势
奈米淘汰赛 DRAM 8吋厂转移产能另图发展 (2007.04.30)
标准型DRAM进入90奈米以下制程,既有8吋厂出现竞争力不足的瓶颈,这些DRAM厂传出将8吋厂产能转做逻辑代工,因此可能危及晶圆代工厂接单。 近年来随DRAM制程技术的推进,目前业界整体产线多为90奈米制程,并计划自今年下半起转入70奈米制程,在此一趋势下,DRAM业者的8吋厂今年将除役,陆续退出生产标准型DRAM的行列
DRAM导入90奈米制程 八吋厂寻找新出路 (2007.04.30)
由于标准型DRAM纷纷导入90奈米制程,因此为了解决八吋厂成本竞争力不足的问题,DRAM厂有意将八吋厂产能转为逻辑芯片代工之用途,对于此举是否影响晶圆代工厂之产能利用,部份晶圆代工厂认为将不会有所影响
抢占代工市场 中芯将扩大DRAM产量 (2007.03.22)
中芯国际对于DRAM的布局又有积极动作。该公司执行长张汝京在Semicon China 2007研讨会上,对外表示中芯北京厂即将针对65奈米逻辑产品进行投产,另外该公司旗下的武汉十二吋晶圆厂,初期产能也将全数用于DRAM的生产,此外中芯也正与奇梦达及尔必达商谈70奈米制程的授权计划
茂德产能提升 70奈米试产上看万片 (2007.03.15)
内存大厂茂德将中科一厂单月最大产能提升到60,000万片,今年总产量将较去年成长6.至7成。此外茂德兴建中的中科二厂,第三季可完工移入机台,并陆续导入量产设备。茂德也确定年底前单月能有10,000片的产出是直接采70奈米试产,至于竹科厂方面,虽然月产能仅20,000片,但已经开始着手进行95奈米的试产
南亚最快明年达成DRAM全球市占一成目标 (2007.03.12)
据南亚科技总经理连日昌表示,南亚首座十二吋厂三A厂明年底便将达到每月6万2000片的产能,到时候南亚将拥有超过一成的全球市占率,并且也将正式进军NAND Flash市场。而第二座十二吋厂三B厂也会在今年下半开始动工兴建
茂德第二季将进行70奈米制程投片 (2007.01.12)
尽管受到力霸风波所冲击,但茂德本业与转投表现依旧亮眼,茂德董事长陈民良透露,第二季初将进行70奈米投片,预计今年底前中科一厂月产5万片都能转入70奈米,大大提高茂德的成本竞争力,此外,转投方面确定独资在美国设立影像传感器设计公司,另外中国大陆重庆厂计划在明年第二季试产
力晶五年内将再投资兴建8座12吋厂 (2007.01.05)
力晶半导体对外证实,力晶本身在台湾至少还要再盖四座十二吋厂,若加计瑞晶(与尔必达合资公司)在中科的四座十二吋厂,则五年内力晶与其伙伴共计兴建八座十二吋厂,总投资金额高达9000亿元,此举非但挤下台积电成为台湾最大的十二吋厂投资者,更间接对政府宣示根留台湾的决心


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