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先进制程迈入10nm以下时代 科磊推三款光罩检测系统 (2016.08.19)
随着半导体先进制程的推演，10奈米（nm）与7nm制程终露曙光；然而，先进制程须得搭配上更先进的光罩检测技术；晶圆检测设备制造商KLA-Tencor（科磊）看准了此一检测需求，针对10 奈米及7奈米制程，推出了三款先进的光罩检测系统，分别是光罩决策中心（RDC）、可供光罩厂使用的Teron 640，以及供晶圆厂操作的Teron SL655 |
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全球半导体资本设备市场加速成长 明年增45% (2009.12.14)
国际研究暨顾问机构Gartner预测，2009年全球半导体资本设备支出将衰退42.6%，但整体市场现正快速成长，复苏情况显著，预计2010年全球半导体资本设备支出将成长 45.3%。
Gartner 研究副总Dean Freeman 指出，晶圆代工支出与少数内存厂的选择性支出，带动了2009下半年半导体设备市场的成长 |
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Dow Corning硅晶注入式双层光阻应用于内存 (2007.12.10)
材料、应用技术及服务的综合供货商Dow Corning与东京应用化学（Tokyo Ohka Kogyo）宣布，两家公司合作开发的新型双层光阻已获得一家DRAM芯片制造商采用，将首度用来量产内存芯片 |
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TI利用创新材料降低芯片漏电 实现45nm精密制程 (2007.06.21)
德州仪器（TI）宣布将把高介电系数（high-k）材料整合到TI最先进和高效能的45奈米芯片晶体管制程。随着晶体管体积不断缩小，半导体组件的漏电问题日益严重，业界多年来一直研究如何利用高介电系数材料解决这个难题 |
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台积电预计九月推出45奈米制程 (2007.04.10)
就在绘图芯片及手机芯片大厂相继导入65奈米量产之际，台积电宣布，九月起即可完成45奈米制程验证，并开始为客户生产。由于此一制程具备相当高的组件密度以及高密度的6晶体管存取内存（6T SRAM），因此在70平方厘米的芯片上，可以容纳超过5亿个晶体管 |
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英特尔宣布突破性晶体管技术 (2007.01.28)
英特尔（Intel）宣布一项重大的基础晶体管设计突破，以两种全新材料制作45奈米 (nm) 晶体管绝缘层 (insulating wall) 和开关闸极(switching gate)。下一代Intel Core 2 Duo（Intel 酷睿 2 双核心处理器）、Intel Core 2 Quad（Intel 酷睿2 四核心处理器）和Xeon多核心处理器系列，将使用上亿个这种超小型晶体管（或开关） |
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65到45：半导体制程微细化技术再突破 (2006.11.27)
当半导体微细化制程从65奈米迈向45奈米、甚至晶片结构体尺寸将朝向32或是22奈米之际，我们将会面临什么未知的物理性质变化？为了追寻更微小体积、切割更多晶片的商业成本效益 |
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高通2007年底前将与台积电合作45奈米制程 (2006.09.11)
手机芯片大厂高通（Qualcomm）表示，已经开始着手45奈米先进制程研发，虽然仍有许多材料上或制程上的问题有待解决，不过整个进展速度仍十分顺利，预计2007年下旬就可开始与台积电等晶圆代工伙伴进入试产阶段，与台积电在2007年下半年将进入45奈米制程的预估十分符合 |
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PC主存储器迈向DDR2世代 (2005.01.01)
DRAM的高速化是PC主存储器重要发展趋势之一；目前400MHz的DDR DRAM已逐渐无法满足未来PC的高速需求，而更新一代的DDR2俨然成为接班主流；DDR2拥有比DDR更高的效能、速度及低耗电等特性，并有效提升周边接口及装置整体操作效能 |
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193奈米机台到位 台积电浸润式微影迈新局 (2004.11.08)
据业界消息，台积电积极推动的半导体新一代技术浸润式（immersion）微影技术，又向前迈进一步，该公司向设备大厂ASML采购的193奈米雏形机已经运抵新竹，并正式移入台积电12厂，台积电研发部门将利用该设备进行相关制程研发，并预计于65奈米世代量产此技术 |
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应材CVD系统广受全球12吋晶圆厂采用 (2004.08.04)
国际半导体设备大厂应用材料宣布该公司Applied Producer化学气相沉积（CVD）系统已出货超过750套，这些客户并采用其黑钻石低介电常数（Black Diamond low dielectric）技术来进行沉积作业 |
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全球奈米电子技术现况与趋势探讨 (2004.08.04)
为成为下一世代的市场赢家，奈米级先进制程已经成为全球各大半导体产商积极投入之研究领域，而随着制程不断朝向65奈米、45奈米及32奈米以下尺寸推进，所面临的技术挑战也更加艰难 |
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设备交期难缩短 半导体产能扩充有限 (2004.06.07)
工商时报引述外资券商SG Cowen Securities针对半导体市场所发布之最新报告指出，因关键半导体生产设备交期难以缩短，包括晶圆制造、封装测试下半年产能扩充幅度有限，所以下半年旺季来临后，产能吃紧情况将更为严重 |
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台积电预计7月完成193奈米浸润式显影装机 (2004.05.09)
据Digitimes报导，台积电预计2004年7月完成全球首台193奈米浸润式显影（Immersion Lithography）机台装机，将以65奈米制程切入，再向下延伸到45奈米、32奈米制程。台积电资深研发副总蒋尚义表示，该公司浸润式显影技术是在曝光源与晶圆加入水作为波长缩短介质，可微缩到132奈米，远低于157奈米微影机台波长 |
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12吋晶圆设备抢手 业者首推预付订金制 (2004.04.20)
工商时报消息，因各大半导体业者积极兴建12吋晶圆厂，相关设备抢手，设备业者甚至推出预付四成订金保证优先交机权的条件，首开风气之先的是12吋晶圆显影设备（photolithography）最大业者ASML |
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曝光机交货期延长 晶圆产能吃紧现象难舒缓 (2004.03.24)
经济日报报导，晶圆厂竞相扩充产能使设备厂ASML曝光机台交货期延长，先进0.13微米制程使用的193奈米曝光机新订单交货期，更延长达一年，市场预期该现象将使晶圆代工与DRAM厂装机进度受影响，并导致IC产能吃紧状况在短期内难以纾解 |
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微影技术的未来 浸润式vs.奈米压印式 (2004.02.17)
2003年12月，半导体微影技术，正式进入另一个技术领域。在此之前，我还以为微影技术仍会照着ITRS（国际半导体技术蓝图）的原先蓝图进展，混然未察觉的是，在这个微寒的冬季，科技有又有重大的进展：「浸润式微影技术」（Immersion Lithography）隆重登场 |
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微影技术的未来 浸润式vs.奈米压印式 (2004.02.05)
2003年的12月已成为半导体产业重大技术的转戾点，不论是浸润式或者奈米压印式微影技术在未来都将成为市场主流。 |
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台积电以先进制程技术获颁行政院杰出科技奖 (2003.12.23)
据经济日报报导，台积电昨日以领先全球的「0.13微米SoC低介电质铜导线先进逻辑制程技术」获颁行政院92年度「杰出科学与技术人才奖」。国科会日前举行的「杰出科技荣誉奖」颁奖典礼，共有台积电副总蒋尚义所领导的团队，以及黄光国、余淑美、陈寿安等教授获奖 |
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VLSI预测2004半导体设备市场成长将逾4成 (2003.12.18)
市调机构VLSI Research表示，半导体复苏之说或许稍嫌过度膨胀，但可肯定的是，半导体市场确实逐渐回温，在此波荣景中，苦陷低潮许久的半导体设备商亦将受惠，推估2004年半导体设备市场规模成长将逾4成 |
