 |
可水洗磁场感应技术 衣物变身智慧介面 (2025.02.27)
来自英国、德国和义大利的研究团队，成功研发出全球首创的可水洗、耐用型磁场感应电子纺织品，有??彻底改变衣物在科技领域的应用。
这项发表於《通信工程》期刊的最新研究，揭示了如何将微小、灵活且高灵敏度的「磁阻」感测器，整合到传统纺织制造相容的编织纱线中 |
|
ROHM的EcoGaN被村田制作所集团旗下Murata Power Solutions的AI伺服器电源所采用 (2025.02.27)
半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN™产品GaN HEMT，被日本先进电子元件、电池和电源制造商村田制作所集团旗下Murata Power Solutions的AI（人工智慧）伺服器电源所采用 |
|
3D DRAM新突破！ 国研院联手旺宏提升AI晶片效能 (2025.02.26)
国研院半导体中心与旺宏电子合作，成功开发「新型高密度、高频宽3D动态随机存取记忆体（3D DRAM）」，此技术突破传统2D记忆体限制，采用3D堆叠技术，大幅提升记忆体密度与效能，且具备低功耗、高耐用度优势，有助於提升AI晶片效能 |
|
Microchip扩展maXTouch M1系列元件，支援汽车大尺寸、曲面及自由形显示幕 (2025.02.21)
随?汽车制造商透过整合大尺寸显示幕及OLED（有机发光二极管）、microLED等新兴技术打造智慧座舱，寻求将功能性与品牌标识完美融合，如何在更薄堆叠结构与更多触控电极下实现可靠电容触控成?关键挑战 |
|
ROHM 650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装 (2025.02.13)
半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1「GNP2070TD-Z」投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支援大功率的应用领域被陆续采用 |
|
DigiKey 於 2024 年新加入 455 家新供应商和 110 万款以上新零件 (2025.02.03)
DigiKey 是全球商业经销领导厂商，提供最丰富的技术元件和自动化产品，且有现货可立即出货。很高兴宣布在 2024 年扩充供应商合作夥伴阵容和新产品 (NPI)。新增的 455 家供应商以及 110 万款创新产品包含於核心业务、商城，以及 DigiKey 物流计画中 |
 |
半镶嵌金属化：後段制程的转折点？ (2025.01.03)
五年多前，比利时微电子研究中心（imec）提出了半镶嵌（semi-damascene）这个全新的模组方法，以应对先进技术节点铜双镶嵌制程所面临的RC延迟增加问题。 |
|
意法半导体先进的STGAP3S电隔离闸极驱动器 为IGBT和SiC MOSFET提供灵活的保护功能 (2024.12.30)
服务横跨多重电子应用领域之全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）新 STGAP3S 系列碳化矽（SiC） 和 IGBT 功率开关闸极驱动器整合了最新之稳定的电隔离技术、优化的去饱和保护功能，以及灵活的米勒钳位架构 |
|
ROHM推出车载TVS二极体「ESDCANxx系列」 (2024.12.26)
半导体制造商ROHM针对随着自动驾驶和先进驾驶辅助系统（ADAS）发展而需求不断成长的高速车载通讯系统，开发出可对应CAN FD（CAN with Flexible Data rate）的双向TVS（ESD保护）二极体「ESDCANxx系列」 |
|
Intel Foundry透过使用减材?? 提升电晶体容量达25% (2024.12.24)
英特尔晶圆代工（Intel Foundry）在2024年IEEE国际电子元件会议（IEDM）上公布了新的突破。包括展示了有助於改善晶片内互连的新材料，透过使用减材??（subtractive Ruthenium）提升电晶体容量达25% |
|
Bourns推出全新高效能 超紧凑型气体放电管 (GDT) 浪涌保护解决方案 (2024.12.23)
美商柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子元件领导制造供应商，推出全新高效能、超紧凑型气体放电管 (GDT) 系列。Bourns GDT21 系列为双电极元件，专为设计於节省空间的表贴式封装，可实现卓越的脉冲电压限制 |
|
Microchip 推出新款统包式电容式触控控制器产品 MTCH2120 (2024.12.19)
统包式触控控制器是将机械按钮升级?现代触控按钮或显示幕的一种快速简便的方法。随?12个按钮MTCH2120 触控控制器的推出，Microchip Technology Inc.?设计人员提供了在用户界面上实现触控按钮功能的直接途径 |
|
CEA-Leti首次展示22奈米FD-SOI节点 重新定位铁电记忆体 (2024.12.11)
CEA-Leti工程师在IEDM论坛中首次展示了基於????铁电材料的可扩展电容平台，并将其整合到22奈米FD-SOI技术节点的後端制程(BEOL)中。这项突破性的成果代表了铁电记忆体技术的重大进展，显着提升了嵌入式应用程式的可扩展性，并将铁电RAM (FeRAM)定位为先进节点的竞争性记忆体解决方案 |
|
??侠发表全新记忆体技术OCTRAM 实现超低功率耗 (2024.12.10)
记忆体商??侠株式会社（Kioxia Corporation），今日宣布开发出全新记忆体技术OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，这是一种新型 4F2 DRAM，采用具备高导通电流和超低截止电流的氧化物半导体电晶体 |
|
电子产品PCB设计日益复杂 国网中心推出云平台助产业链升级 (2024.12.10)
基於现今无论是通讯、电脑、半导体、车用等各式电子产品，都会用到印刷电路板（Printed Circuit Board，PCB）为核心，而台湾则拥有全球最大PCB产业链。国家实验研究院国家高速网路与计算中心（国研院国网中心） |
|
半导体业界持续革命性创新 有助於实现兆级电晶体时代微缩需求 (2024.12.09)
随着人工智慧（AI）应用迅速崛起，从生成式AI到自动驾驶和边缘运算，对半导体晶片的需求也随之激增。这些应用要求更高效能、更低功耗以及更高的设计灵活性。尤其在2030年实现单晶片容纳1兆个电晶体的目标下，半导体产业面临着重大挑战：电晶体和晶片内互连的持续微缩、材料创新以突破传统设计的限制，以及先进封装技术的提升 |
|
英飞凌推出新一代氮化??功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN电晶体实现了现有平台的快速重新设计。新元件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的切换性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比，CoolGaN 650 V G5电晶体输出电容中储存的能量（Eoss）降低了多达50%，漏源电荷（Qoss）和闸极电荷（Qg）均减少了多达 60% |
|
穿戴科技革命！ MXene奈米材料实现无线充电纺织品 (2024.11.20)
想像一下，你的衣服可以无线充电你的手机、监测你的健康，甚至在寒冷的天气里温暖你。这不再是科幻小说的情节，而是 Drexel 大学、宾夕法尼亚大学和 Accenture Labs 研究人员的最新突破 |
|
意法半导体整合化高压功率级评估板 让马达驱动器更小且性能更强 (2024.11.11)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出三相马达驱动器PWD5T60，搭配支援灵活控制策略的即用型评估板，可加速采用节能马达之小尺寸以及可靠的风扇和帮浦开发速度。PWD5T60的运作电压达500V，整合一个闸极驱动器和六个RDS(ON) 1.38?的功率MOSFET，使该元件能够达到出色的额定能量面积比例 |
|
东芝推出高额定无电阻步进马达驱动器TB67S559FTG (2024.11.08)
东芝在步进马达驱动器系列加入新产品TB67S559FTG，该产品支援办公室自动化设备和工业设备（例如机器人、金融设备等）中使用的恒流控制，无需电流检测电阻即可控制恒定电流电机已新增 |
