快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出8款新型高壓SuperFET MOSFET器件，它們是專為需要有效高壓、快速轉換的應用而設計的，這些應用包括主動功率因數校正(PFC)、照明和交流/直流(AC/DC)電源系統。

SuperFET技術藉由降低RDS(ON)和閘電荷(Qg)來減少傳導損耗及提高切換性能。這項技術可承受高速電壓(di/dt)和電流(dv/dt)轉換瞬態，確保器件能在更高頻率下可靠地運作。新的SuperFET系列也具有很高的額定重複性雪崩特性，比同類方案高出一個量級。這些特性加上最高額定值為±30 V的柵至源電壓(比競爭器件高50%)，使得SuperFET器件能提供較佳的耐用性，在高壓應用時更加可靠。

快捷半導體功率離散器件部電源和工業功率應用行銷經理JongMin Na表示：“隨著標準MOSFET崩潰電壓的提升，RDS(ON)正大幅度上升，並導致裸晶尺寸增加，為設計工程師帶來新的挑戰。快捷半導體全新的SuperFET技術將RDS(ON)的關係從指數變換為線性式，讓器件在600V崩潰電壓下獲得極好的RDS(ON)值和較小的裸晶尺寸，從而提高終端應用的效率。”