英飛凌科技(Infineon Technologies)與美光科技(Micron technology)合作推出高速低延遲(Reduced Latency)DRAM II架構為主的完整規格。此種RLDRAM II規格是屬於第二代、超高速DDR SDRAM產品，傳輸速度可高達400MHz；並結合超寬頻及高密度的快速隨機存取。此新世代RLDRAM II產品將適用於通訊與資料儲存應用產品。這次，英飛凌與美光合作推出的RLDRAM II，在使用36bit的介面與400MHZ系統時鐘頻率(system clock) 的8-bank架構下，傳輸速度每秒可高達28.8Gbps。

英飛凌-RLDRAM_II

英飛凌表示,RLDRAM II的功能包含ODT(on-die termination)技術、多路傳輸(multiplexed)或非多路傳輸(non-multiplexed)定址、內建(on-chip)延遲鎖定迴路(delay lock loop; DLL)、共有(common)或分離(separate) I/O、可編程式輸出阻抗(programmable output impedance)，及1.8V電源的能量效率(power efficient)。這些功能將提供設計者更多的彈性、平衡的讀/寫比(READ/WRITE ratio)、更簡化的設計過程，及降低匯流排轉向之衝突(bus turnaround contention)。

美光科技DRAM網路及通訊行銷經理Deb Matus表示：「我們將看到市場上愈來愈多對此技術的支援。RLDRAM II的應用產品包含：網路、消費型裝置、繪圖及第三級快取記憶體(L3 Cache)。」

英飛凌科技利基型DRAM產品行銷總監Ernst Strasser博士表示：「藉由RLDRAM II規格的公佈，英飛凌及美光持續落實提供業界最詳細的設計標準、清楚產品發展路線(roadmap)及由記憶體領導廠商多方來源保證的承諾。」

RLDRAM II產品採用144-ball FBGA封裝技術，面積為11公釐x18.5公釐。此種封裝技術將有助於超高速資料傳輸速率及簡化的前一代產品升級過程。RLDRAM II包含三種設定規格，分別為8 Meg x 36、16 Meg x 18及 32 Meg x 9。