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IBM、特許、Infineon及三星發表45nm矽電路製程
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2006年09月04日 星期一

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IBM、特許半導體製造(Chartered Semiconductor Manufacturing)、英飛凌科技(Infineon Technologies)以及三星電子(Samsung Electronics)公司,聯合發表第一個矽功能電路,和以聯盟所開發45奈米(nm)低耗電(low-power)製程技術為基礎的設計工具組。藉由初期矽晶關鍵設計元件的特性分析,以及早期設計(early design)工具組,設計業者可大幅領先,快速轉換到最新的45奈米製程。最新製程由此一領導業界的CMOS(互補金屬氧化物半導體)技術研發聯盟所推出,其中早期設計工具組是由四家公司共同開發,並已立即供應部份精選客戶使用。

這是第一個45奈米技術的工作電路,以下一個世代通訊系統為目標,已使用四家聯盟夥伴共同開發的製程技術,通過矽晶上的驗證,並在開發聯盟的基地—美國紐約州East Fishkill市IBM 12吋(300毫米)晶圓廠生產。成功通過驗證的元件包括由英飛凌提供的標準庫元件(standard library cell)和 I/O元件,以及聯盟所開發的嵌入式記憶體。Infineon已將特殊電路放入第一批12吋晶圓中,以改善複雜的製程,並獲取產品架構交互作用方面的經驗。

這套設計工具組融合了所有四家公司的專業設計經驗,除了能協助設計業者加速轉換到新製程,更能持續提升「單次設計、多家晶圓廠」製造能力的最大設計效益。此一45奈米低耗電製程預計在2007年底,在特許、IBM及三星的12吋晶圓廠安裝並完成合格驗證。

關鍵字: 特許(特許半導體英飛凌(Infineon三星(Samsung
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