Vishay宣佈推出超小的20V n通道功率MOSFET＋肖特基二極體。SiB800EDK採用1.6mm×1.6mm的熱增強型 PowerPAK SC-75封裝，其將在100 mA時具有0.32V低正向電壓的肖特基二極體與具有在低至 1.5V柵極驅動時規定的額定導通電阻的MOSFET進行了完美結合。

Vishay結合20V n通道功率MOSFET及肖特基二極體

當可擕式電子設備變得越來越小時，元件的大小變得至關重要。憑藉超小的占位面積，SiB800EDK比採用2mm×2mm封裝的器件小36%，同時具有0.75mm的超薄厚度。將兩個元件整合到一個封裝中不僅節省了空間，而且包含溝槽肖特基二極體可保持較低的正向電壓，從而降低了電平位移應用中的壓降。SiB800EDK具有0.960Ω（1.5V VGS 時）～0.225Ω（4.5V VGS 時）的低導通電阻範圍。1.5 V時的低導通電阻額定值可使MOSFET與低電平時的信號一同使用。

該新器件的典型應用將包括手機、PDA、數碼相機、MP3播放器及智慧型電話等可擕式設備的I2C介面與升壓轉換器中的電平位移轉換。SiB800EDK具有ESD保護，並且100%無鉛(Pb)，無鹵素，以及符合RoHS，因此符合有關消除有害物質的國際法規要求。