ST日前發表一款快速與易於使用的512Kbit快閃記憶體IC，特徵是能夠連續且隨機的進行讀取操作，具有頁面可程式化功能、區塊與全塊抹寫模式，以及一個20MHz的SPI相容序列匯流排。M25P05是ST M25Pxx序列快閃記憶體家族系列的第二款產品，它反映了逐漸遠離平行架構，而朝向更節省空間的序列設計概念。

ST表示，M25P05的前身為一款1Mbit的非揮發性場效可編程512Kbit（64 K x 8 bit）快閃記憶體。M25P05是可儲存大量陣列和區段資料的快閃記憶體，適用於消費、工業、醫療、及電信等產品。M25P05的主要應用產品包含數位相機、語音玩具、印表機、高階裝置、學習型遙控器、智慧型鍵盤、螢幕顯示設定、硬碟與光碟機、以及SCSI卡、網路卡與繪圖卡等。M25Pxx家族還包括了2/4/8Mbit產品，今年起將陸續上市。

ST並且指出，每個M25P05包含兩個256頁的磁區。由於每個頁面為128bytes，因此整個記憶體相當於512頁或65,536位元組。這款記憶體的頁面式編程指令一次能寫入1~128位元組的資料。一個全塊抹寫指令就能抹寫整個記憶體的資料；而另一個區塊抹寫指令則能針對單一區塊進行抹寫。這些指令的完成速度非常快，能節省使用者在操作、產品開發或進行編程時的時間。M25P05領先業界的特徵包括了在2.7V的操作電壓下，讀取整個記憶體的時間僅需26ms；而對128byte的頁面進行編程則只需3ms；M25P05也能分別在1s與2s的標準操作時間內完成256Kbyte磁區與512Kbyte的抹寫動作。此外，由於M25P05允許隨機或連續讀取操作，因此這款序列記憶體得以減少下指令的次數。與傳統的平行架構相比較，使用者更能利用M25P05進行產品的開發。這款產品的4線SPI相容序列介面時鐘頻率最高為20MHz。

M25P05的其他特徵包括了2.7V~3.6V的單一操作電壓、1μA深度省電模式(典型的)，以及一個8位元的電子簽名。運用ST超持久的CMOS快閃記憶體技術，M25P05允許每個磁區至少可進行100,000次的抹寫動作，同時保證資枓至少能保存20年，操作溫度為-40oC ~ +85oC。

M25P05 512Kbit序列頁面式快閃記憶體採用150或200 mil wide的SO8封裝，目前已有現貨供應。