ST日前發表一款在符合業界標準電壓與溫度條件下，速度最快的32百萬位元快閃記憶體。這顆高密度的M29W320D是採用ST領先業界的0.18微米快閃記憶體製程技術製造，適用於蜂巢式行動產品、個人數位助理、週邊設備、遊戲、以及其他先進數位通訊及消費性產品中。

M29W320D

M29W320D可在2.7V～3.6V的供給電壓以及-40～+85℃的操作溫度條件下執行讀取、編程與抹寫等動作。該晶片的特徵之一是其非同步隨機存取時間少於70ns，這將使這個快速的32Mbit快閃記憶體晶片適用於業界標準溫度範圍。另外，其快速編程能力也能加速生產線的量產速度。

ST非揮發性記憶體部門副總裁Giuseppe Crisenza表示：“新元件將以ST已獲得巨大成功的標準快閃記憶市場為基礎，而當應用在高性能可攜式與手持式消費性產品市場上時，新產品將更能鞏固ST的技術領先地位。”

ST快閃記憶體部門Mario Licciardello則表示：“M29W320D在標準以及量產應用這兩種市場上，大幅拓展了我們的產品線。”

M29W320D相容於共用的快閃記憶體介面標準。這使得設計人員能查詢該元件的內部技術資料與64位元安全碼，同時它也採用了廣泛通用的軟體，並保證供貨不中斷。該元件的典型編程時間為10μs，具有至少20年的資料存放時間，以及至少100,000次個別編程/抹寫動作的使用保證。M29W320D現有70ns非同步隨機存取時間的版本問世，採用12x20mm TSOP48或6x11mm TFBGA 48 (0.8mm pitch, 6x8 ball)封裝。