ST日前推出一款3V、64位元的全新快閃記憶體元件M29DW640D。新元件是ST M29系列的最新產品，採用0.15微米製程技術，其接腳完全相容於市場上同類型的快閃記憶體晶片，適用於蜂巢式電話、個人資訊設備、手持式個人電腦，以及GPS全球定位系統等產品。

ST 3V、64位元的全新快閃記憶體元件-M29DW640D

ST表示，M29DW640D可以被組成8位元或16位元(字元)，做為I/O作業之用，其A、B、C、D四個記憶庫的容量分別為8、24、24、8Mbit。兩個8Mbit的資料組各內含8個參數區塊。另外，每個區塊都能獨立被清除，因此在舊有資料被清除時，該記憶體仍能將有效資料保存下來。

M29DW640D的其特色還包含了：25ns或30ns的頁面讀取存取時間；12V快速編程作業；五個快速編程指令，以及一個可儲存保密或其他資訊的256位元組延伸記憶體區塊。當使用五個快速編程指令的其中一個時，該記憶體對於高達8個相連位元組的同步編程標準時間僅有10微秒。

ST記憶體產品部副總裁Giuseppe Crisenza表示，「這些高密度記憶體的問世，進一步強化了ST的標準快閃記憶體產品線。我們相信，這些新的記憶體將有助於ST在3V行動通訊市場上的滲透程度，另外，新元件也有助於在單一封裝上以堆疊的方式整合更多的SRAM和／或PSRAM記憶體。」

為了延長可攜式設備的電池使用時間，M29DW640D在執行寫入與清除動作時最大電流不超過20mA；讀取模式下最大電流為10mA；待機模式下最大功耗為100μA。M29DW640D的每個區塊均可承受100,000次的寫入／清除循環，資料可保存20年。64Mbit的M29DW640D快閃記憶體晶片電壓為2.7到3.6V，可選擇70ns或90ns的隨機存取時間。每一種版本的元件均可在0(到+70(C，或是-40(到+85(的溫度下操作。