應用材料日前宣佈推出業界第一套化學氣相沉積TiSiN阻障層（barrier）製程，持續強化在銅製程技術的領導地位。運用應用材料新一代Endura Electra Cu整合式阻障層／種晶層設備平台，結合應用材料現有的自行離子化電漿（SIP：Self Ionized Plasma）物理氣相沉積銅反應室，化學氣相沉積TiSiN製程不僅支援200mm與300mm製程，並且針對下一代0.1微米銅／超低介電常數晶片設計需求，提供最好的單一系統解決方案。

應用材料公司副總裁暨銅製程、物理氣相沉積以及整合製程設備與模組事業群總經理陳福盛博士表示：「由於物理氣相沉積技術具有低成本、高產出率、及簡化製程與硬體的優點，已被視為下一世代晶片量產時，沉積阻障層及種晶層最主要的技術。我們相信應用材料的旗艦產品Endura Electra Cu 阻障層／種晶層設備，也將是客戶量產時的最佳選擇。」

陳福盛同時指出：「身為業界領導廠商的應用材料，其全新Endura Electra Cu整合式阻障層／種晶層設備將協助客戶延伸至次毫微米（Sub-Nanometer）晶片設計技術發展，包括最先進的超低介電材料薄膜。應用材料公司的化學氣相沉積TiSiN反應室製程設備，已經陸續出貨至美國及亞洲地區客戶，用來製造邏輯和記憶體元件。」

應用材料的全新化學氣相沉積TiSiN製程技術，更加強化Endura Electra Cu整合式阻障層／種晶層系統的先進製程技術。應用材料公司的低溫化學氣相沉積TiSiN製程，以提供絕佳的階梯覆蓋率（step coverage）為目標，解決因採用具空隙的（porous）超低介電材料（k<2.2）所造成粗糙不平的側壁，並可在高深寬比的精密電路結構上，達成85%以上的側壁與底部

覆蓋率。由於化學氣相沉積TiSiN製程可做出更薄、更均勻的薄膜，因此不但能使銅導線結構具有更好的導電性，同時能做出很好的阻障層，以防止銅擴散到元件的其它區域。

化學氣相沉積TiSiN製程採用應用材料公司已通過量產驗證的TxZ反應室硬體，並能與阻障層／種晶層平台的自行離子化電漿物理氣相沉積銅晶層製程完全整合，同時也與Electra銅電化學電鍍（ECP：Electrochemical Plating）之銅填充與Mirra Mesa化學機械研磨製程完成整合，提供最佳金屬化製程步驟之解決方案。應用材料以曾獲國際半導體雜誌年度產品的Endura整合式PVD/CVD阻障層(Liner/ Barrier)為基礎，再次推出此套Endura整合式阻障層/種晶層製程設備，做為銅導線製造的平台。