Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分離元件和電源模組。

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Microchip的1700V碳化矽技術是矽IGBT的替代產品。由於矽IGBT的損耗問題限制了開關頻率，之前的技術要求設計人員在效能上做出妥協並使用複雜的拓樸結構。此外，電力電子系統的尺寸和重量因變壓器而變得臃腫，只有提高開關頻率才能減小尺寸。

新推出的碳化矽系列產品使工程師能夠捨棄IGBT，轉而使用零件數量更少、效率更高、控制方案更簡單的兩級拓樸結構。在沒有開關速度的限制情況下，功率轉換單元的尺寸和重量可以大幅減少，可在有限空間來建立更多充電站，提供更多空間來運送乘客和貨物，或者延長重型車輛、電動巴士和其他電池驅動商業車輛的續航能力和執行時間，所有這些都可以降低整體系統成本。

Microchip分離產品業務部副總裁Leon Gross表示：「交通運輸領域的系統開發人員不斷被要求在無法變大的車輛中容納更多的人和貨物。協助實現這一目標的最佳方式之一，是利用高壓碳化矽功率元件，大幅降低電源轉換設備的尺寸和重量，同時提高效率。可為交通運輸行業及許多類似的行業應用帶來更多的益處。」

新產品特點包括柵極氧化物穩定性，Microchip在重複非鉗位元感應開關（R-UIS）測試中觀察到，即使延長到10萬個脈衝之後，閾值電壓也沒有發生漂移。R-UIS測試還顯示了出色的崩潰耐固性和參數穩定性，以及柵極氧化物的穩定性，實現了在系統使用壽命內的可靠運行。抗退化體二極體利用碳化矽MOSFET可以無需外部二極體。與IGBT相當的短路耐受能力可承受有害的電瞬變。在接面溫度0至175攝氏度範圍內，相比對溫度更敏感的碳化矽MOSFET，較平坦的RDS（on）曲線使電力系統能夠更穩定地運行。

Microchip透過AgileSwitch數位可程式設計柵極驅動器系列和各種分離和功率模組，以標準和可客製化的形式簡化了技術的採用。這些柵極驅動器有助於加快碳化矽從實驗到生產的開發速度。

Microchip的其他碳化矽產品包括700V和1200V的MOSFET和蕭特基二極體系列，提供裸片和各種分離和功率模組封裝。Microchip將內部碳化矽裸片生產與低電感功率封裝和數位可程式設計柵極驅動器相結合，使設計人員能夠製造出最高效、緊湊和可靠的最終產品。