ST日前發佈一款帶有嵌入式壓控振盪器（VCO）的多頻帶RF合成器STW81100。透過ST RF設計經驗，以及採用ST世界級的BICMOS矽鍺（SiGe）製程技術，ST的設計人員已經開發出能大幅減少總材料清單（BOM）成本，且尺寸更小的整合型產品。新元件是ST一系列內含PLL與VCO之高整合度RF解決方案的第一款產品。

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STW81100是一款帶有VCO的多頻帶整合式RF合成器，適用於無線通訊與測試設備系統。STW81100具有高效能、高整合度、低功耗、多頻帶能力等特色，是一款將PLL與VCO整合在內的低成本單晶片解決方案，過去的標準方案需要兩顆晶片，不僅尺寸大且非常昂貴。另外，由於單晶片STW81100強化了可靠度、減少了電路板面積與外部分離式元件使用量，因此也能減少間接成本，是一款極具成本／效能比的解決方案。

STW81100內含一個整數-N（Integer-N）頻率合成器以及兩個完整的內建式VCO，具有極低的相位噪聲效能，最低噪聲基準（noise floor）為-153dBc/Hz。其頻率範圍極廣的整合式VCO（其中心頻率測量結果超過32個子頻帶），以及多重輸出選項（如直接輸出、分割為2或分割為4個輸出），都能讓合成器覆蓋從820MHz-1,100MHz、1,640MHz-2,200MHz以及3,280MHz-4,400MHz等頻帶範圍。STW81100還能以IP單元形式供貨，進一步拓展了ST的RF ASIC智財權（IP）產品線。

ST無線基礎架構部門RF技術行銷經理Guillaume Pertinant表示：“ST從手持電話到電信基礎建設領域的強大RF設計能力與市場領先地位，已經轉化為能滿足當前製造商對更低BOM成本與更小晶片尺寸兩大主要訴求的一系列產品線。”