德州儀器（TI）於日前宣佈，推出一款可在25 A電流下實現超過90%高效率的MOSFET ，體積為同類競爭功率MOSFET的50%。TI全新CSD86350Q5D Power Block透過先進的封裝技術, 將2個非對稱的NexFET功率MOSFET整合，為伺服器、桌上型電腦與筆記型電腦、基地台、交換器、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實現高效能。

TI - CSD86350Q5D Power Block

TI表示，NexFET Power Block除提高效率與功率密度外，還能以高達1.5 MHz的開關頻率生成高達40 A的電流，可有效降低解決方案尺寸與成本。優化的接腳佈局（pinout）與接地導線架（grounded lead frame）可明顯縮短開發時間，改善整體電路效能。此外，NexFET Power Block還能以低成本實現與GaN 等其他半導體技術相當的效能。