恩智浦半導體（NXP）日前於加州舉行的「2010年IEEE MTT-S國際微波年會」上，展示其用於新一代基地台的最新高性能射（RF）和混合訊號（Mixed Signal）產品。恩智浦以SiGe:C技術為基礎的完整射頻和中頻（IF）放大器產品系列，包括低雜訊放大器（LNAs），及固定和可變增益放大器（variable gain amplifiers），能夠實現無線基礎設施TRx無線電設計上的更高整合度。恩智浦第七代LDMOS功率電晶體，及一個Doherty功率放大器的完整產品系列，包括業界首款三路900MHz Doherty放大器，和一個高達600W的單封裝Doherty，則是一款可在大功率範圍，保持高效率的小巧型元件。

恩智浦半導體高性能射頻和照明業務的資深副總裁暨總經理John Croteau表示，隨著無線資料流量的大幅成長，行動基礎設施供應商正承受著將高經濟效益和低功耗基地台快速推向市場的龐大壓力。從離散元件到模組化基本組件和專用標準產品（ASSP），恩智浦提供一系列的高性能射頻系列產品簡化了設計過程，打造更小巧與高效的解決方案。

特色產品包括：

‧高速資料轉換器。恩智浦新型高速CGVTM ADCs和DACs是產業首次運用JEDEC JESD204A串列介面，除大幅減少資料轉換器與VLSI邏輯元件之間的互連訊號數量外，並能支援多資料轉換器通道的同步結合。

‧先進的小訊號射頻元件。恩智浦展示其射頻小訊號的完整產品系列，其中包括以SiGe:C製程為基礎的突破性低雜訊放大器系列產品，滿足無線基礎設施相當嚴苛的要求，即NF小於0.7dB、20dB增益和33dBm IP3，達到更高的整合度。

‧最佳射頻功率產品。與所有的恩智浦LDMOS功率電晶體相同，第七代LDMOS高功率電晶體確保了基地台可靠運作所需的耐用性。