快捷半導體（Fairchild Semiconductor） 推出超薄的高效率MicroFET產品FDMA1027，滿足現今可攜式應用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P通道PowerTrench MOSFET，FDFMA2P853則是20V P通道PowerTrench MOSFET，帶有肖特基二極體，並採用2mm ×2mm×0.55mm MLP封裝。相比低電壓設計中常用的3mm×3mm×1.1mm MOSFET，新產品的體積減小55％、高度降低50％。這種薄型封裝選項可滿足下一代可攜式產品如手機的超纖細外形尺寸需求。

FDMA1027和FDFMA2P853專為更高效率而設計，能夠解決影響電池壽命的豐富功能的功率挑戰。這些元件採用快捷半導體專有的PowerTrench MOSFET製程，能降低傳導和開關損耗，提供低功率消耗和降低傳導損耗。與採用2mm×2mm SC-70封裝類似尺寸的元件比較，FDMA1027和 FDFMA2P853T提供更低的傳導損耗（降低約60％），並且能夠耗散1.4W功率，而SC-70封裝元件的功率耗散則為300mW。

快捷半導體的MicroFET系列提供了別具吸引力的優勢如緊湊型封裝和高性能，能夠滿足電池充電、負載轉換、升壓和DC-DC轉換的需求。

FDMA1027和FDFMA2P853採用無鉛（Pb-free） 端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛迴焊的要求。所有快捷半導體產品均滿足歐盟有害物質限用指令（RoHS）的要求。