帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR率先推出商用GaN整合式功率級元件
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2010年03月10日 星期三

瀏覽人次:【2312】

國際整流器(International Rectifier,IR)近日宣佈,推出行業首個商用整合式功率級產品系列,並採用了IR革命性的氮化镓(GaN)功率元件技術平台。全新的iP2010和iP2011元件系列是為多相位負載點(POL)應用,包括伺服器、路由器、交換機,以及通用POL DC-DC轉換器而設計。

IR率先推出行業首批商用GaN整合式功率級元件iP2010和iP2011
IR率先推出行業首批商用GaN整合式功率級元件iP2010和iP2011

IR表示,iP2010和iP2011整合了高度精密的超高速PowIRtune驅動器IC,並與一個多開關單片式GaN功率元件配合。這些元件會裝貼到一個覆晶封裝平台,帶來比最先進的矽整合式功率級元件更高的效率和超出雙倍的開關頻率。

iP2010的輸入電壓範圍由7V到13.2V,而輸出電壓的範圍則由0.6V到5.5V,輸出電流就高達30A。這個元件的最高操作頻率為3MHz。在5MHz運行時,與iP2010管腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓範圍,但後者經過優化,從而使最高輸出電流為20A。藉著於通用佔位面積提供多個電流額定值元件,IR帶來了靈活性,能夠滿足不同客戶對電流水平、性能和成本的要求。

這兩種元件採用細小佔位面積的LGA封裝,為極低的功率損耗作出優化,並提供高效率的雙面散熱功能,也符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)。

關鍵字: GaN整合式功率級元件  IR 
相關產品
IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝
IR推出電池保護應用MOSFET系列
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻
IR為高功率工業應用推出新IGBT模組系列
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻
  相關新聞
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» SEMI提4大方針增台灣再生能源競爭力 加強半導體永續硬實力
» 國科會促產創共造算力 主權AI產業專區落地沙崙
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.172.71.190.212
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: [email protected]