德州儀器 (TI) 推出新的電源管理元件，把交換式直流轉換控制器和低壓降穩壓器整合至單顆晶片，為使用DDR和DDR II記憶體系統的設計人員帶來更強大的電源效能。對於DDR記憶體應用，例如美光的DDR和DDR II系統，這顆高整合度元件大幅減少電源管理的外部零件數目，最適合筆記型和桌上型電腦、繪圖卡和遊戲機等應用。

TI新推出的TPS51116內建同步電流模式的直流轉換控制器，專門提供Vddq電源，它還包含3 A低壓降穩壓器，可用來提供Vtt電源以及緩衝式參考電壓Vref。新元件完全符合DDR以及DDR II JEDEC規格，只要搭配開關驅動電路 (power train)，再加上七顆外接電阻和電容，就能組成完整的DDR電源解決方案；相形之下，今天的系統則需要18顆或是更多的電源管理零件。TPS51116在負載很小時仍能提供極高的效率，例如在10 mA電流時，Vddq的效率可以超過85%。這顆高效能的低壓降穩壓器只需一顆2x10 μF的陶瓷輸出電容，就能汲入和供應3 A的峰值電流。

TPS51116內部的開關採用D-CAP模式的控制技術，它能提供100奈秒的負載步階暫態響應，同時減少外部的輸出電容數目；D-CAP模式也不需要外部迴路零件，但若設計要求更多強大的控制能力，TPS51116的迴路補償也能改變支援任何類型的輸出電容，包括陶瓷電容在內。新元件內建的低壓降穩壓器需要2x10 μF陶瓷輸出電容，它還能藉由減少輸入電壓以大幅降低系統功耗。TPS51116也能支援多種不同設計，Vddq電壓可以調整或固定不變，DDR為2.5 V，DDR II則為1.8 V。

除了高效能之外，TPS51116還能管理睡眠狀態的控制功能，幫助改善DDR記憶體系統的可靠性；這項整合功能可以加快新產品上市時間，因為設計人員可直接利用元件內部的控制功能，不需另行設計外部控制電路。此外，TPS51116還能確保Vtt低於Vddq，這能進一步提升DDR記憶體的可靠性。