日前，擁有80.4%股份的Vishay Intertechnology,Inc.子公司Siliconix incorporated宣佈推出將3.4V高閾值電壓與2.7毫歐低導通電阻相結合的首款n通道MOSFET。具有40V和60V版本的這10款新型MOSFET主要用於汽車、工業及固定電信行業中具有電感負載的高溫、高電流應用，例如高端開關、電機驅動及12V板網。

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當MOSFET在高溫、高電流環境中運行時，如果受熱影響的閾值電壓開始接近0V，則它們會同時打開。直到現在，這對設計者來說仍是一個進退維谷的境地。一種解決方案是向電路中添加負電壓驅動器，但缺點是增加了電路的尺寸、成本及複雜性。另一解決方案是使用具有高閾值電壓的器件，但在這種情況下，其影響是極大增加了導通電阻。

這一新的MOSFET系列利用高密度矽技術提供了可擺脫這種境地的方法，該技術可使相同器件既提供低導通電阻又提供高閾值電壓，從而避免了在汽車、工業以及涉及高溫和高輸出電流的其他應用中出現的同時打開的問題。