飛思卡爾（Freescale）日前推出一款射頻（RF）LDMOS功率電晶體，操作範圍為1.8至600 MHz，同時針對會產生潛在破壞性阻抗失配（impedance mismatch）狀況的應用(如二氧化碳雷射、電漿產生器和核磁共振造影（MRI）掃描器)，已進行最佳化，使其可用於這些應用。這款全新的MRFE6VP6300H場效電晶體（FET）是全球第一款50伏特LDMOS電晶體，提供滿載輸出功率300瓦連續波（CW）至電壓駐波比（VSWR）為65:1的負載。

所有固態RF功率放大器，可在RF功率電晶體產生的最大功率全數送達天線時，產生最有效率的運作。在理想的條件下，這將產生1:1的VSWR值，所有生成的額定功率到達負載，通過傳輸線後全未反射回至放大器。VSWR在大多數應用中很少超過2.5:1，大多數RF功率晶體管（無論搭載技術為何），都可以處理5:1或10:1的VSWR值。

然而，RF功率功率放大器不論用來觸發二氧化碳雷射以及電漿產生器，或是在MRI系統產生電磁場，都會遇到幾乎所有產生的額定功率反射回至功率放大器的狀況。這些極端的條件對於多數RF功率電晶體都是一項挑戰。

飛思卡爾全新MRFE6VP6300H LDMOS FET主要設計用來滿足這些應用，並可產生達300瓦的CW輸出功率，最高VSWR可達65:1。市售50伏特LDMOS電晶體中僅本款有提供這種等級的性能。

MRFE6VP6300H可以使用在推拉式（push-pull）或單端組態設定，並可安裝於緊密的氣腔陶瓷NI780-4封裝中。在130 MHz時，此裝置產生300瓦的CW輸出功率，25分貝的增益和80%效率。MRFE6VP6300H也包含創新的靜電放電（ESD）保護，使其成為一台Class III等級的設備，同時賦予充裕的閘源（gate-source）電壓範圍（-6伏特到+10伏特），可在高效率模式（如Class C）下操作時增強性能。