羅門哈斯電子材料公司CMP技術事業部推出一種新型銅阻障層研磨液，專門設計來協助用戶處理90nm和65nm技術節點下低介電質(Low-K)整合方案中的化學機械平坦化問題。新型LK393c4銅阻障層研磨液是與晶圓製造商密切配合下開發而成，與其它現有研磨液配方相比，其選擇比和研磨速率可幫助用戶將晶片產量和所有權成本提升25%到30%。

LK393c4阻障層研磨液是去年CMP技術事業部所推出之LK系列阻障層研磨液的最新產品。藉著1比1的銅/低介電質選擇性以及較高的TEOS（四乙烷氧矽化物）研磨速率，這種非選擇性之鹼性研磨液非常適用於先進低介電質整合方案。LK393c4阻障層研磨液使用戶能夠在其銅阻障層處理中維持銅研磨後所得平坦化結果。

LK393c4阻障層研磨液適用於專為銅阻障層用途而設計之軟研磨墊和新一代的研磨墊，並可在低壓力下提供下一代銅阻障層處理之CMP所需要的高研磨率。LK393c4阻障層研磨液目前正在進行90nm低介電質晶片的量產測試，並與邏輯晶片製造商、研發及產品開發人員就65nm技術進行測試。“我們設計了LK393c4阻障層研磨液來支援90nm和65nm兩種整合方案，使用戶能夠更容易地在多種技術節點上延伸整合知識和應用。”CMP技術事業部研磨液技術副總裁Rich Baker說道︰“根據用戶技術及個別處理的要求，我們創造最新研磨液為用戶提供移除或者維持TEOS覆蓋層的選擇性”。