皇家飛利浦電子集團日前推出數個低導通電阻RDS(ON) MOSFET，拓展其mTrenchMOS産品系列。這些新型的P頻道裝置可向研發節省占位面積的設計人員提供小型和業界標準封裝的高性能功率控制能力。型號爲PMN50XP的第一個P頻道MOSFET裝置具有20伏電壓和50毫歐姆（milli ohm）電阻。

飛利浦指出，根據iSuppli的預測，每年被用於手機領域的P頻道裝置超過10億件，而手機的付運量則有望從2003年的4.8億部增長到2007年的6.4億部。隨著筆記型電腦和手提消費産品等行動應用的迅速發展，亞洲地區的廠商將成爲經濟型封裝和高效電源管理解决方案的領導者。

飛利浦半導體電源管理事業部副總裁兼總經理Manuel Frade表示，「這些新型的P頻道裝置結合之前發表的n頻道mTrenchMOS裝置，爲設計人員提供了各類電源管理的産品，以滿足亞洲客戶對行動運算和手機應用不斷提升的需求。這些新設備對那些需要高效能MOSFET且對板占位面積和功效要求嚴格的消費性應用是非常重要的。」

P頻道MOSFETS廣泛應用於行動領域的負載和電池轉換。目前的電源管理系統通常需要根據系統的特殊需求在任意特定時間轉換一個或多個電源線。例如在“休眠”時的筆記型電腦顯示器和磁碟驅動器電源都是處於切斷狀態，以節省電池能耗。此類系統的功率轉換必須能在開機狀態下顯現低壓差，使驅動操作更爲簡便且僅占用較小的PCB面積。