快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出8款新型高压SuperFET MOSFET器件，它们是专为需要有效高压、快速转换的应用而设计的，这些应用包括主动功率因子校正(PFC)、照明和交流/直流(AC/DC)电源系统。

SuperFET技术藉由降低RDS(ON)和闸电荷(Qg)来减少传导损耗及提高切换性能。这项技术可承受高速电压(di/dt)和电流(dv/dt)转换瞬态，确保器件能在更高频率下可靠地运作。新的SuperFET系列也具有很高的额定重复性雪崩特性，比同类方案高出一个量级。这些特性加上最高额定值为±30 V的栅至源电压(比竞争器件高50%)，使得SuperFET器件能提供较佳的耐用性，在高压应用时更加可靠。

快捷半导体功率离散器件部电源和工业功率应用营销经理JongMin Na表示：“随着标准MOSFET崩溃电压的提升，RDS(ON)正大幅度上升，并导致裸晶尺寸增加，为设计工程师带来新的挑战。快捷半导体全新的SuperFET技术将RDS(ON)的关系从指数变换为线性式，让器件在600V崩溃电压下获得极好的RDS(ON)值和较小的裸晶尺寸，从而提高终端应用的效率。”