英飞凌科技(Infineon Technologies)与美光科技(Micron technology)合作推出高速低延迟(Reduced Latency)DRAM II架构为主的完整规格。此种RLDRAM II规格是属于第二代、超高速DDR SDRAM产品，传输速度可高达400MHz；并结合超宽频及高密度的快速随机存取。此新世代RLDRAM II产品将适用于通讯与资料储存应用产品。这次，英飞凌与美光合作推出的RLDRAM II，在使用36bit的介面与400MHZ系统时钟频率(system clock) 的8-bank架构下，传输速度每秒可高达28.8Gbps。

英飞凌-RLDRAM_II

英飞凌表示,RLDRAM II的功能包含ODT(on-die termination)技术、多路传输(multiplexed)或非多路传输(non-multiplexed)定址、内建(on-chip)延迟锁定回路(delay lock loop; DLL)、共有(common)或分离(separate) I/O、可编程式输出阻抗(programmable output impedance)，及1.8V电源的能量效率(power efficient)。这些功能将提供设计者更多的弹性、平衡的读/写比(READ/WRITE ratio)、更简化的设计过程，及降低汇流排转向之冲突(bus turnaround contention)。

美光科技DRAM网路及通讯行销经理Deb Matus表示：「我们将看到市场上愈来愈多对此技术的支援。RLDRAM II的应用产品包含：网路、消费型装置、绘图及第三级快取记忆体(L3 Cache)。」

英飞凌科技利基型DRAM产品行销总监Ernst Strasser博士表示：「藉由RLDRAM II规格的公布，英飞凌及美光持续落实提供业界最详细的设计标准、清楚产品发展路线(roadmap)及由记忆体领导厂商多方来源保证的承诺。」

RLDRAM II产品采用144-ball FBGA封装技术，面积为11公厘x18.5公厘。此种封装技术将有助于超高速资料传输速率及简化的前一代产品升级过程。 RLDRAM II包含三种设定规格，分别为8 Meg x 36、16 Meg x 18及32 Meg x 9。