瑞萨电子(Renesas)推出六款第8代G8H系列绝缘闸双极电晶体(IGBT)新产品，可降低太阳能发电系统的功率调节器的转换损耗，以及降低不断电系统(UPS)的变频器应用。新推出的六款产品版本为650 V/40 A、50 A、75 A，以及1,250 V/25 A、40 A、75 A。瑞萨同时达成内建二极体的1,250V IGBT提供TO-247 plus封装，为系统制造商提供更高的电路组态弹性。

第8代G8H系列IGBT可降低电源转换系统的功率损耗，例如太阳能发电系统的功率调节器与UPS产品。

瑞萨电子运用其为功率转换领域设计低功耗IGBT的专业技术，使第8代IGBT达到最佳化，并在程序结构中采用独家的通道闸组态。相较于前代IGBT，新款产品可提供更快速的切换效能，它是IGBT效能指数的重要项目，同时藉由降低饱和电压(Vce (sat)，注2)以减少导通损耗。另外，第8代装置的效能指数(注3)较第7代IGBT最高提升30%，有助于降低功率损耗并为使用者系统提升整体效能。上述改良对于聚焦于光电(PV)变频器、UPS、工业马达驱动器及功率因数校正(PFC)等电力产业的关键市场而言非常重要。

在太阳能发电系统中，当阳光透过太阳能面板产生的直流电(DC)通过变频器电路转换为交流电(AC)时，不可避免地会发生一些功率损耗。由于上述功率损耗大多数发生在所使用的功率装置，因此降低IGBT的功率损耗将为使用者系统的发电效能带来直接的正面效益。同样地，对于伺服器机房与资料中心内的UPS系统而言，电力必须持续通过电源转换器电路，以监控电源供应是否发生中断，这表示系统运转期间将稳定产生的功率损耗。IGBT效能是降低此功率损耗的关键。

除了变频器电路之外，新款第8代G8H系列装置的快速切换效能亦可运用于其他应用，例如为转换器中的升压电路提供优异的效能。

即日起开始供应第8代IGBT样品。量产时程预定为2016年9月，预估至2017年3月每月产能可达60万颗。 (编辑部陈复霞整理)

产品特色

(1)适用于变频器电路的更快速切换、超低损耗特性

瑞萨运用其长期累积的低损耗IGBT设计专业知识，开发出独家的通道闸组态。新款IGBT采用先进的制程技术，同时达到快速切换效能与低饱和电压(Vce (sat))特性，这些特性决定了IGBT装置的效能指数。因此，其效能指数最高提升30%。另外，瑞萨分析了变频器电路产生功率损耗的因素，并设计新的装置以降低导通与切换损耗。因此大幅降低IGBT功率损耗，减少幅度超过功率转换器电路整体功率损耗的二分之一。

(2)低切换杂讯可免除外部闸极电阻器

IGBT必须在杂讯特性与切换速度之间进行取舍。第8代IGBT可大幅降低切换时的闸极损耗，因此系统制造商可免除过去用于降低杂讯的闸极电阻器。这有助于减少元件数量，并达成更小型的设计。

(3)散热效能优异的TO-247封装；保证运作温度最高可达摄氏175度

TO-247封装的底部采用金属材质，使IGBT功率损耗所产生的热能直接传送至封装外部，达到优异的散热效能。新款装置相容于最高温度摄氏175度，因此可用于因传送大量电力而容易升温的位置。如此有助于提升使用者系统的效能与可靠性。

(4)内建二极体1250V IGBT采用TO-247 plus独立封装版本,可在额定100C提供75 A电流段

由于各种考量，例如热、杂讯及运作品质等，过去75 A电流段的装置通常整合于采用大型封装的模组中。瑞萨透过可达到低损耗及较小晶片尺寸的第8代IGBT技术，实现内建二极体1,250 V IGBT采用独立TO-247 plus封装的目标。藉由采用额定100C的75 A电流段独立封装​​装置，系统制造商可获得独立装置才能提供的更高电路组态弹性，并可轻松提升其系统的功率容量。