东芝电子元件及储存装置株式会社推出两款TCK401G（高电位作动）和TCK402G（低电位作动）N-channel MOSFET驱动IC，该产品支援最高可达28V的输入电压，适合快速充电和需要大电流电源的其他应用。新MOSFET驱动IC的量产出货即日启动。

东芝推出小型封装N-channel MOSFET驱动IC内建保护功能并适合快速充电和其他大电流电源应用。

此两款IC以行动装置、消费型设备为应用领域，具备多种内建保护功能，包括过压保护、浪涌电流抑制和自动输出放电功能，但依然采用WCSP6E小型封装，尺寸为0.8mm × 1.2mm × 0.55mm（标准值）。

可利用一个配有外部N-channel MOSFET的驱动器实现高效率电源电路，其中该MOSFET具备适合於目标应用的最大额定电压和导通电阻。例如新型MOSFET驱动器和低导通电阻SSM6K513NU MOSFET相结合适合於行动装置和消费应用，其可在较小空间内建构100W等级电源电路。

产品特色

1.低静态电流: IB(ON1) = 0.34μA（标准值）

2.高纹波抑制比: R.R.= 70dB（标准值）

3.高速负载暂态回应: ??VOUT = 60mV（标准值）