意法半导体（ST）推出全新M系列1200V IGBT，以先进的沟槽式场截止（trench-gate field-stop）技术为特色，有效提升太阳能逆变器（solar inverters）、焊接设备（welding equipment）、不断电系统（uninterruptible power supplies）与工业马达驱动器等多项应用的效能与可靠性。

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高度最佳化的传导性与关断性以及低导通耗损，让全新进化的IGBT适用于执行频率高达20kHz的硬式开关电路（hard-switching circuit）；可承受的最高工作温度提高至摄氏175度，宽安全工作范围（safe operating area；SOA）无锁定（latch-up free）效应，摄氏150度时的短路耐受时间为10us，这些特性确保新产品在恶劣的外部电气环境中具有更高的可靠性。

新产品所使用的第三代技术包括新的先进沟渠式结构设计和最佳化的高电压IGBT架构，可最大幅度地降低电压过冲（voltage overshoot）、消除关机期间常出现的振荡现象，有效减少了电能的耗损并简化电路设计。在此同时，低饱和电压（Vce（sat））可确保新产品具有很高的传导效率、正温度系数与窄饱和电压范围可简化新产品的平行设计，有助于提高功率处理性能。

新产品还受益于经提升的导通效率。此外，新产品与IGBT反向平行（anti-parallel）的新一代二极体一同封装，带来快速的恢复时间和更佳的软度回复特性且不会使导通耗损明显上升，实现更出色的EMI性能表现。

40A STGW40M120DF3、25A STGW25M120DF3和15A STGW15M120DF3三款产品采用标准的TO-247封装，STGWA40M120DF3、STGWA25M120DF3和STGWA15M120DF3三款产品采用TO-247长针脚封装，目前均已开始量产。 （编辑部陈复霞整理）