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IR推出新型-30V电压P-信道功MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2010年09月21日 星期二

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国际整流器公司(International Rectifier)近日宣布,推出新-30 V组件系列,采用IR最新的SO-8封装P–信道 MOSFET硅组件,适用于电池充电和放电开关,以及直流应用的系统/负载开关。新款的P–信道组件提供从4.6 mΩ到59 mΩ的导通电阻(RDS (on)) ,来配合各类型的功率要求。P–信道 MOSFET 免除使用电平转换或充电泵电路,使它们成为非常理想的系统/负载开关应用解决方案。

IR推出新型-30V电压P-信道功MOSFET
IR推出新型-30V电压P-信道功MOSFET

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示,相比上一代的产品,这个新型SO-8 P–信道MOSFET系列显著改善了电流处理,更为客户提供广泛的RDS(on)选择来配合他们对温度和成本的要求。同时,P–信道技术也可以简化电路设计。

P–信道MOSFET组件达到第一级湿度感应度(MSL1)标准,不含铅且符合产品有害物质管制规定(RoHS)标准。

關鍵字: 潘大伟  电压控制器 
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