敏博(MEMXPRO Inc.)推出DDR5工业级记忆体模组，时脉速度达4800MHz，包含了288-pin UDIMM与262-pin SODIMM等主流规格，严选原厂优质晶片，坚守工控品质标准，提供16GB与32GB主流高容量模组，因应5G时代之边缘运算装置、工业电脑、嵌入式系统、智慧制造自动化、网通设备、车载交通、自动驾驶、智慧医疗等下一代高频高速平台发展应用。

/news/2022/04/21/1719394600S.jpg

Omdia Research预估DDR5在2022年的市场占有率，将从2021年的1%成长到10%，2024年将达到43%，几??占有所有电脑应用市场近一半的使用率。根据市场研究公司Yole Developpement指出，DDR5将於2023年成为消费性市场主流，DRAM市场价值 1,200亿美元，NAND市场价值680亿美元，双双创下历史新高。市场需求持续强劲持续到2026年，届时DRAM记忆体将达到2,000亿美元以上的市场规模。敏博观察，工控领域的相关应用於也将在DDR5技术的带领下，拥抱创新发展，加快产业智能升级的脚步。

DDR5升级关键在於容量、速度与系统稳定性的全面提升。容量方面，与前代DDR4单颗最大容量是16Gb相比， DDR5 的单颗容量可从8Gb到最大64Gb，单条DDR5模组的容量最高可达128GB，为前一代的4倍；速率方面，DDR5 最高6400MHz的频宽则是DDR4 3200Mz的两倍；稳定性方面，DDR5 DIMM预设电压也由DDR4的1.2V降到1.1V运作，可降低８%系统能耗与发热量，更加节能省电。

DDR5并在记忆体模组上加入电源管理晶片(PMIC)，直接配置电力，提高讯号的完整性并抑制杂讯，适用於低功耗需求与不易散热的工控装置平台。另外DDR5每颗IC自带ECC纠错功能(On-Die ECC)，可自身修复DRAM晶片内的位元错误，帮助提升运算系统的可靠度并降低错误产生的机率。

新世代DDR5的架构设计更大幅提升传输效能。首先，DDR5有32 个Bank资料组，是DDR4两倍，使DDR5同时可开启更多页面，增加效能。并透过新增的Same Bank Refresh (REFsb)指令，同时存取其他Bank的资料，提升效能。

第二，有支援额外配置ECC的DDR5将双通道作用於单模组，过去的DDR都是72位元(64位元资料+8位元ECC)，DDR5变成两组40位元(32位元资料+8位元ECC)，模组上左右各一独立通道，不但提高资料并行的存取效率，并缩短延迟，加强讯号完整性。

第三，DDR5突发存取长度(Burst Length)由DDR4的BL8翻倍到BL16，一条DDR5模组可同时满足两个64 Byte快取区块的需求，提供双倍的存取可用性。第四，DDR5亦新增了决策回??等化器 (Decision Feedback Equalize，DFE)，实现更高的I/O速度和资料传输速率。

敏博高效能DDR5 4800 UDIMM与SODIMM记忆体模组符合JEDEC标准，诉求高稳定、高可靠度的工控车载与智慧联网AIoT应用，经严谨测试流程确保相容性，可依产品应用需求选择镀膜涂覆(Coating)与侧边填充(SideFill)等加值技术，提高记忆体模组应用的强固性与耐受性，容量包含16GB与32GB，目前已进入量产阶段，因应严苛环境需求的宽温记忆体模组也即将导入，满足客户对下一代新产品的开发需求。