摩托罗拉半导体事业部(SPS)和摩托罗拉实验室于本周在2002年科技与电路超大规模集成电路座谈会(2002 VLSI Symposia on Technology and Circuits)中，联合发表第一款兆位MRAM(磁电阻式随机存取内存，magnetoresistive random access memory)通用内存芯片。这项成就大幅增进了通用内存的研发状态，使这项科技更贴近变革中的半导体内存市场。摩托罗拉半导体产品部总监Saied Tehrani表示，「MRAM有潜力成为广泛的数字消费应用产品的普遍内存选择，例如手机、行动设备、笔记本电脑、个人计算机，甚至汽车等。我们会以稳扎稳打的方式来达到2003年的MRAM样品出货目标及2004年的量产目标。」

MRAM

摩托罗拉之前已经开发出第一款256 Kbit MRAM芯片，并于2001年2月发表了这项技术。这一类的内存属于非易失性，亦即当运作电源关闭后，信息仍然可以保留在该内存中。1 Mbit芯片是目前已开发成功的最大型MRAM，它让半导体产业在高密度通用内存芯片的商品化上，更往前迈进了一大步。

这项革命性的内存芯片技术能大幅改变消费者使用电子设备的方式。包括计算机和手机启动速度缓慢、数据遗失、漫长的数据下载时间、电池寿命短等沿袭已久的问题，都能经由MRAM芯片的协助一扫而空。例如，今日的计算机必须在电源启动时，将数据从硬盘加载区域内存中。但是MRAM可以让程序和数据保留在区域内存内，即使电源关闭时亦然。同样地，可预期MRAM也能消除我们现在在开启或关闭手机电源时的延迟时间。

Semico Research Corporation非易失性内存总监Jim Handy表示，「研发人员试图寻找半导体内存世界的圣杯已有数十年之久- 一种非易失性、价格低廉、速度快且低耗电的装置。今日的每项普及技术，DRAM、Flash及SRAM，都带有一项或两项这些特性，但是尚未有一项技术能满足这所有的需求。摩托罗拉的MRAM技术似乎能带领我们更加接近这个理想内存芯片的终极目标。」

MRAM技术也能将多种内存选择整合于单一芯片中。排除了对多种内存的需要，未来的消费产品就能更加小巧，并且具备更符合成本效益的内存功能。