快捷半导体(Fairchild)P通道MOSFET─FDZ299P日前问世，其在小型的1.5X1.5mm BGA封装内采用高性能的PowerTrench技术，比同级设备现时使用标准的SSOT-6或TSSOP-6封装MOSFET，尺寸减少了75%。 FDZ299P是电源管理设备的适用方案，适用范围包括蜂巢式电话、PDA、可携式音乐播放机、GPS接收器及数位相机等。

快捷-BGA封装低电压P通道MOSFET

FDZ299P提供低开关损耗(最大稳态电流为4.6A)，减少了寄生系统的耗用功率，而其最大封装高度为0.8mm，因此可用于RF防护罩和内部元件及显示器中。除封装优势外，新型FDZ299P元件可提供极低的RDS和低闸极电荷。快捷半导体可携式产品应用市场开发经理Chris Winkler表示，『一般采用相同尺寸标准封装的MOSFET无法耗散150mW以上的热量，又或处理350mA以上的稳态电流，而FDZ299P具有1.7W的耗散功率，在热性能和电流处理能力方面拥有相当不错的表现。 』