新思科技(Synopsys)近日宣布，其StarRC寄生电路抽取(parasitic extraction)解决方案通过联华电子(UMC)最新28奈米制程技术的认证，在联电所提供的测试评估设计环境中，该解决方案可达成硅晶验证(silicon-validated)的准确率，符合联电先进28奈米Poly SiON及高介电金属闸极(High K/Metal gate)制程的条件；StarRC技术文件(technology files)已可供联电28奈米制程客户使用。

StarRC是新思科技Galaxy实作平台的重要工具软件，该寄生电路抽取解决方案乃针对SoC、客制数字模拟/混和讯号(analog/mixed-signal，AMS)及内存设计(memory design)所开发。

针对28奈米制程，StarRC所提供的功能包括主要寄生电路效应(parasitic effect)的模型(modeling)，如先进制程的重新定向效应(retargeting effect)、新的导孔蚀刻 (via etch)和耦合效应(coupling effect)、导孔之电阻电容(via resistance and capacitance)、多项式扩散电阻(polynomial-based diffusion resistance)，以及经强化的布线装置寄生电路抽取。

此外，StarRC也提供其他专为28奈米制程所设计的先进功能，包含针对快速、高准确性的3D抽取之Rapid3D技术、多核效能及扩展性的强化、缩减面积的能力，以及针对大型SoC设计签核(signoff)所提供的网表(netlist)等。