安森美半导体（ON）持续扩展其高效能低成本的电源MOSFET产品线，近日又推出新的自我保护组件SmartDiscrete家族。这些新组件为低位端(low-side)、自我箝位(self-clamped)、46伏、 48-185 毫奥姆的MOSFET，具整合电流限制保护、过温停机、过电压保护、及静电释放保护等。安森美半导体的HDPlus晶圆制程，能让单一芯片即使在很广的温度范围中也能发挥最大的效能。此系列组件也提供许多整合的特性，包括能取代业界首见的具动态箝位、静电释放保护、一般常用的3055 MOSFET，到具电流和温度限制功能的全自我保护 MOSFET。

ON自我保护组件SmartDiscrete家族

安森美半导体副总裁暨整合电源组件部总经理Ramesh Ramchandani表示：「系统设计者急于找到可减少组件数量、改善系统可靠性、并能简化软硬件设计的解决方案。由于安森美半导体新的SmartDiscrete MOSFET整合了传统上需由多个离散组件组成的保护电路，所以是发展可靠系统之最佳节省空间且成本效益高的解决方案。」

安森美半导体表示，保护特性是电源MOSFET须承受高功率及/或短路情况之应用所不可或缺的。为符合此需求，安森美半导体新的SmartDiscrete电源MOSFET的自我保护电路设计乃结合了泄漏电流感应和限制。在负载短路时，电流限制电路保护可防止电流尖峰。若此状况一直持续，则温度电路会追踪接点温度，当其达到一特别设定点时(典型值为175?C，则此组件会被关闭。当内部温度限制电路在接点温度降低约15(C时，会自动开启主MOSFET。此组件会重复此热循环直到短路情况排除为止。