账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
安森美半导体推出电池管理FET
节省可携式电子产品面板尺寸及延长锂离子电池寿命

【CTIMES/SmartAuto 陳厚任报导】   2002年10月29日 星期二

浏览人次:【1459】

安森美半导体持续扩展其可携式和无线电子产品线,日前又推出了NTLTD7900。这是一款双N通道、共泄极电源MOSFET,最适用于可携式电子产品,如行动电话、呼叫器、和PDA等的锂离子电池管理。

安森美表示,NTLTD7900是一款9安培、20 伏特的元件,适用于单个和二个锂离子电池组合的防护电路中。由于其精巧的3.3 mm x 3.3 mm Micro-8LL无接脚封装,相较于其他厂牌元件的TSSOP-8封装,大幅减少了百分之48的面板使用。

安森美指出,NTLTD7900在电压为4.5V时,其导通电阻(RDS(on))只有26 mohm,因此能将电源泄漏降至最低而延长电池寿命。且其热阻值由TSSOP-8封装的88° C/W降至82°C/W,这证明了NTLTD7900较小的Micro-8LL封装并未减少其效能。而其齐纳保护闸还提供了超越业界要求的静电释放(ESD)保护。 NTLTD7900将闸二极体整合进FET中,所以在电路中不需另加背对背齐纳二极体。更特别的是,此元件可承受4,000 V (HBM),所以非常适用于手持电子产品中。

關鍵字: 安森美半导体  电流控制器 
相关产品
安森美半导体推出工业电机驱动整合方案 涵盖转换器、逆变器、功率因数校正模组
安森美半导体推出智慧拍摄相机平台 实现自动图像识别
安森美半导体推出dToF光学雷达平台 提供工业测距现成的设计
安森美半导体影像感测技术 用於速霸陆新一代ADAS平台
安森美半导体推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增长应用
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 电动压缩机设计核心-SiC模组
» 热泵背後的技术:智慧功率模组
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8C1BMZEG2STACUKT
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: [email protected]